[发明专利]一种低阻抗电极的制备方法及低阻抗电极有效
| 申请号： | 201910032827.3 | 申请日： | 2019-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN109904002B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 王晓红;徐思行 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01G11/28 | 分类号： | H01G11/28;H01G11/36;H01G11/84 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;李相雨 |
| 地址： | 100084 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种低阻抗电极的制备方法及低阻抗电极，所述制备方法包括：敷有金属层的绝缘材料浸入到氧化石墨烯溶液，形成石墨烯层；所述石墨烯层上喷涂氧化石墨烯和碳纳米管的混合溶液，在所述混合溶液上再喷涂碳纳米管溶液；喷涂后的绝缘材料在退火炉中退火，以使所述石墨烯层的氧化石墨烯变成还原氧化石墨烯，得到低阻抗的电极。利用本发明实施例可减小集流层和活性层之间的接触势垒，从而减小电极的接触阻抗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阻抗 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低阻抗电极的制备方法，其特征在于，包括：敷有金属层的绝缘材料浸入到氧化石墨烯溶液，形成石墨烯层；所述石墨烯层上喷涂氧化石墨烯和碳纳米管的混合溶液，在所述混合溶液上再喷涂碳纳米管溶液；喷涂后的绝缘材料在退火炉中退火，以使所述石墨烯层的氧化石墨烯变成还原氧化石墨烯，得到低阻抗的电极。
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