[发明专利]具有非对称应变源极/漏极结构的半导体元件其制作方法有效
| 申请号： | 201910030933.8 | 申请日： | 2019-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN111435679B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 杨柏宇 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有非对称应变源极/漏极结构的半导体元件其制作方法，其中该半导体元件包含：一基底，具有一上表面；一第一区域，位于该基底中；一第二区域，位于该基底中，并与该第一区域间隔开；一通道区域，介于该第一区域与该第二区域之间；一栅极结构，位于该通道区域上；m个差排，位于该第一区域内，其中m为大于或等于1的整数；以及n个差排，位于该第二区域内，其中n为大于或等于0的整数，又其中m大于n。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 对称 应变 结构 半导体 元件 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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