[发明专利]具有非对称应变源极/漏极结构的半导体元件其制作方法

权利要求书

1.一种形成半导体结构的方法，包含：

提供基底，包含上表面、设于该上表面的栅极结构、设于该栅极结构的侧壁上的间隙壁、位于该基底中的第一区域以及位于该基底中的第二区域，其中该第一区域以及该第二区域分别位于该栅极结构的相对两侧，且该第一区域以及该第二区域设置为与该栅极结构直接相邻；

干蚀刻该第一区域及该第二区域，分别在该第一区域中形成第一沟槽及在该第二区域中形成第二沟槽，其中该第一沟槽和该第二沟槽均与该栅极结构直接相邻；

在该基底上全面沉积遮盖层，其中该遮盖层覆盖该栅极结构、该间隙壁、该第一区域，与该第二区域；

去除部分的该遮盖层，以显露出该第一区域中的该第一沟槽，其中该第二沟槽被该遮盖层填充；

经由该第一沟槽湿蚀刻该第一区域，以形成一增宽的第一沟槽；以及

在湿蚀刻该第一区域之后，去除该遮盖层；

在去除该遮盖层之后，在该第二沟槽及该增宽的第一沟槽中中形成应力诱发层。

2.如权利要求1所述的方法，其中该增宽的第一沟槽具有六角形剖面轮廓。

3.如权利要求1所述的方法，其中该应力诱发层包含硅锗层。

4.一种形成半导体结构的方法，包含：

提供基底，包含上表面、一设于该上表面的栅极结构、设于该栅极结构的侧壁上的间隙壁、位于该基底中的第一区域以及位于该基底中的第二区域；

遮盖该第二区域并且非晶化该第一区域，如此于该第一区域内形成非晶层；

在该基底上沉积应力层，其中该应力层顺形的覆盖该栅极结构、该间隙壁、该第一区域及该第二区域；

再结晶该非晶层，如此于该第一区域内形成一差排；

在该第一区域内形成第一沟槽；以及

在该第一沟槽内形成应力诱发层。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述遮盖该第二区域，并且非晶化该第一区域包含：

形成光致抗蚀剂图案，完全遮盖该第二区域；以及

进行离子注入，将掺质注入该第一区域中。

6.如权利要求4所述的方法，其中该应力层包含氮化硅层、氧化硅层或氮氧化硅层。

7.如权利要求4所述的方法，其中所述再结晶该非晶层包含：

进行退火制作工艺。

8.如权利要求4所述的方法，其中另包含：

去除该应力层。

9.一种半导体元件，其特征在于，包含：

基底，具有上表面；

第一区域，位于该基底中，其中该第一区域包括应力诱发层；

第二区域，位于该基底中，并与该第一区域间隔开；

通道区域，介于该第一区域与该第二区域之间；

栅极结构，位于该通道区域上；

m个差排，位于该第一区域内，其中m为大于或等于1的整数，其中该m个差排的每一个从该应力诱发层延伸到该应力诱发层下方的该基底中；以及

n个差排，位于该第二区域内，其中n为大于或等于0的整数，又其中m大于n。

10.如权利要求9所述的半导体元件，其中该第二区域另包含另一应力诱发层。

11.如权利要求10所述的半导体元件，其中该应力诱发层和该另一应力诱发层包含磷化硅层或碳化硅层。

12.如权利要求9所述的半导体元件，其中该第一区域与该第二区域均为N型掺杂区域。

13.如权利要求9所述的半导体元件，其中m＝3，n＝1。