[发明专利]一种基于忆阻器结构且具有可编程特性的光控晶体管

摘要

本发明公开了一种基于忆阻器基本结构且具有可编程特性的光控晶体管，由两个背对背的忆阻器存储单元组成，两个忆阻器存储单元共用阻变介质层、衬底以及底电极层，两个忆阻器的顶电极分别作为光控晶体管的源漏端电极，两个忆阻器中间所夹区域用于接受外界光场调控，作为该光控晶体管的栅极，外加光源为该光控晶体管的栅控。两个忆阻器的工作状态将共同决定该光控晶体管的工作状态，使该光控晶体管具有可编程特性。这种基于忆阻器结构的可编程光控晶体管及其操作模式在实现传统场效应晶体管功能的同时，具有非挥发性、与标准CMOS工艺制程兼容性等诸多优势，因此本发明可有效简化晶体管制备工艺并降低制备成本、降低集成电路功耗、提升集成电路集成度。

主权项

1.一种忆阻器，其特征在于，包括衬底，在衬底下形成底电极层，在衬底上形成阻变介质层，在阻变介质层上形成顶电极层，所述阻变介质层采用HfO_x、AlO_x、GeO_x的氧化物混合薄膜；所述衬底采用n型重掺杂Ge材料。