[发明专利]一种GaN基垂直集成光电子芯片及其制备方法有效

申请号：	201910097597.9	申请日：	2019-01-31
公开（公告）号：	CN109904276B	公开（公告）日：	2021-01-26
发明（设计）人：	黎大兵;程东碧;孙晓娟;贾玉萍;石芝铭	申请（专利权）人：	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
主分类号：	H01L31/12	分类号：	H01L31/12;H01L31/18;H01L25/16
代理公司：	长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214	代理人：	张伟
地址：	130033 吉***	国省代码：	吉林;22
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摘要：	本发明涉及一种GaN基垂直集成光电子芯片及其制备方法，解决现有GaN集成光电子集成密度不能进一步提高和水平结构结构相同，性能不能达到最优的技术问题。本发明的GaN基垂直集成光电子芯片能实现LED和PD之间的光通讯，在两块蓝宝石上分别生长外延层，并在外延层上生长设计好的探测器和发光二极管的结构，然后将蓝宝石减薄，将两块蓝宝石没有生长器件的一面通过Bonding键合在一起，可以用于垂直方向建立光通讯，进一步提高GaN基材料光通信的集成密度。这种结构通过分别单独设计探测器PD和发光二极管LED，可实现垂直结构器件之间的信息传输。本发明工艺简单，成本低廉，具有广阔的应用前景。
搜索关键词：	一种 gan 垂直集成光电子芯片及其制备方法
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【主权项】：

1.一种GaN基垂直集成光电子芯片，其特征在于，包括多量子阱二极管LED部分和多量子阱探测器PD部分；所述多量子阱二极管LED部分包括：衬底和多量子阱LED结构；所述多量子阱LED结构包括依次生长在衬底上的GaN外延层、n‑GaN层、InGaN/GaN层和p‑GaN层；所述多量子阱探测器PD部分包括：衬底和多量子阱PD结构；所述多量子阱PD结构包括依次生长在衬底上的GaN外延层、n‑GaN层、InGaN/GaN层和p‑GaN层；所述多量子阱二极管LED部分的衬底未生长器件的一面和所述多量子阱探测器PD部分的衬底未生长器件的一面键合在一起；所述多量子阱LED结构和所述多量子阱PD结构分别镀有金属电极，并封装有引线。

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摘要：本发明的实施方式提供一种光耦合装置，能够改善高频通过特性。实施方式的光耦合装置具有输入端子、输出端子、第一MOSFET、第二MOSFET、半导体受光元件、半导体发光元件以及树脂层。所述输入端子包括第一引线以及第二引线。所述输出端子包括第三引线以及第四引线。第一MOSFET与漏极区域电连接。第二MOSFET与漏极区域电连接。半导体受光元件具有受光区域和电极焊盘区域。树脂层以输入端子的下表面的中央部以及输出端子的下表面的中央部分别露出的方式，密封第一和第二MOSFET、半导体受光元件、半导体发光元件、输入端子的上表面和侧面、以及输出端子的上表面和侧面。第一以及第二MOSFET被进行共源极连接。

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摘要：光检测装置(1)包括SPAD偏压控制块(20)，所述SPAD偏压控制块(20)利用脉冲信号的脉冲数来调整反向偏置电压，所述脉冲信号由第一光(4)的入射而从SPAD阵列(8)输出。

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摘要：本申请涉及一种显示面板和显示装置，该显示面板包括：驱动基板；发光器件层，设于驱动基板的一侧，并包括多个呈阵列排布的发光单元；光伏器件层，设于发光器件层背离驱动基板的一侧，并用于将光能转换为电能，以对发光单元进行供电，从而提高了显示面板对能源的利用率，并使得显示面板更加适于户外显示应用，更加绿色环保。

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摘要：半导体继电器模块具备第一半导体继电器、第二半导体继电器、从壳体露出的第一～第三输入端子、第一输出端子以及第二输出端子。第一半导体继电器具有第一光耦合部和第一开关部，第二半导体继电器具有第二光耦合部和第二开关部。第一开关部与第二开关部由输出连接线连接，第三输入端子与输入连接线连接，输入连接线和输出连接线被壳体覆盖。

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申请日： 2022-11-06 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L31/12
摘要：本发明提供了一种带屏蔽反射壳套的光电感应器，包括BT板、壳套、设置在BT板上的红外发射晶片、红外接收晶片、第一反射透镜以及第二反射透镜。红外发射晶片、红外接收晶片分别封装于第一反射透镜、第二反射透镜内；壳套内具有第一反射腔以及第二反射腔，第一反射透镜、第二反射透镜分别位于第一反射腔、第二反射腔内。相比于传统分体式的发射接收对管而言，本发明的光线发射接收定位更加精准，发射接收配对光电流一致性更好。增加了具有反射面的壳套，穿过反射透镜的光线可通过壳套的反射面反射，从而可使更多的发射光线达到接收晶片中，提升了光线信号的强度。

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申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L31/12
摘要：本发明涉及一种用于半导体光子部件(31，32)的组件(10)，其中半导体光子部件(31，32)容纳在组件壳体(11)中并与环境屏蔽开。此外，本发明涉及一种与这种组件结合使用的组件壳体(11)，以用于半导体光子部件(31，32)。因此，所述组件(10)至少包括：衬底(30)；安装到所述衬底(30)的至少一个半导体光子部件(31，32)，所述至少一个半导体光子部件(31，32)包括光子有源表面元件(31a，32a)；组件壳体(11)，用于将所述衬底(30)和所述至少一个半导体光子部件(31，32)与所述环境屏蔽开来；所述组件壳体(11)包括壳体壁部分(20，20′)，所述组件壳体设有至少一个光子窗元件(21)，所述至少一个光子窗元件面向所述至少一个半导体光子部件(31)的光子有源表面元件(31a，32a)，所述至少一个光子窗元件(21)与所述壳体壁部分(20，20′)形成单块部分并且具有大于所述壳体壁部分(20，20′)的透射率的透射率。

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摘要：半导体继电器(10)具备发光元件(20)、以及与发光元件(20)相对而置受光元件(30)。受光元件(30)具备：衬底(31)；被形成在衬底(31)上且具有半绝缘性的直接跃迁型半导体层(32)；以至少一部分与半导体层(32)接触的方式而形成的第1电极(33)；以及在与第1电极(33)相离的位置上以至少一部分与半导体层(32)接触的方式而形成的第2电极(34)。半导体层(32)通过吸收来自发光元件(20)的光而成为低电阻状态。

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申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L31/12
摘要：本公开实施例提供一种光探测基板及其制备方法、显示装置。光探测基板包括：衬底基板；感光元件，位于衬底基板的一侧，感光元件包括光电转换层；平坦层，位于感光元件背离衬底基板的一侧，平坦层开设有第一过孔，光电转换层的侧壁的至少一部分通过第一过孔暴露；遮光层，位于平坦层背离衬底基板的一侧，光电转换层在衬底基板上的正投影以及第一过孔在衬底基板上的正投影均位于遮光层在衬底基板上的正投影范围内，遮光层被配置为遮挡预设光线。本公开实施例的光探测基板，可以遮挡自顶部入射的预设光线，而且可以遮挡部分自侧部入射的预设光线，减少了预设光线对感光元件的影响，降低了预设光线导致的噪声，提高了信噪比。

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申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L31/12
摘要：本发明涉及一种可以提高包括发光元件和受光元件的光学模块的性能的光学模块。光学模块包括：基板；发光元件，其布置在所述基板上；受光元件，其与所述发光元件相距预定间隔地布置在所述基板上；第一壳体，其布置在所述基板上并且包围所述发光元件的周围；第二壳体，其布置在所述基板上并且包围所述受光元件的周围；发光透镜，其被收纳在所述第一壳体中并且布置在所述发光元件的光轴上；和受光透镜，其被收纳在所述第二壳体中并且布置在所述受光元件的光轴上，其中，以所述发光透镜和所述受光透镜中的一个透镜的光轴为基准，所述一个透镜在朝向另一个透镜的光轴的第一方向上的第一直径小于所述一个透镜在与所述第一方向正交的第二方向上的第二直径。例如，本公开可以应用于测距传感器。

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摘要：本申请提供一种光接收装置、光接收封装装置、相关设备和方法，该光接收装置可以包括解耦模块、稳压模块、光电转换模块和放大模块。解耦模块用于对第一电信号进行去直流处理，得到第二电信号。第二电信号为脉冲信号，第一电信号和第二电信号携带用于控制放大模块的工作状态的控制信息。稳压模块用于对第一电信号进行稳压处理，得到幅值恒定的第三电信号。光电转换模块用于接收突发光信号，将接收到的突发光信号转换为第四电信号。放大模块用于在第二电信号中控制信息的控制下和第三电信号的供电下，对第四电信号进行放大，输出放大后的第四电信号。通过本申请可以降低PON系统中的光接收机的信号管脚需求，进而降低光接收机的封装成本。

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申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L31/12
摘要：本发明提供的光传感器(1)包括：向被检测物照射光的发光元件(20)；以及具有接受从发光元件(20)照射的光的受光面(40a)的受光元件(40)。在从发光元件(40)照射的光朝向受光面(40a)的路径上设置覆盖受光面(40a)的入射光限制部(60)，该入射光限制部(60)使向受光元件(40)入射的光中的入射角度低于规定值的光透射，而遮挡入射角度为规定值以上的光。

光断路器单元、片材传送装置和成像装置-201710752947.1
发明人：阿部英人;渡边冈树 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L31/12
摘要：本发明涉及一种光断路器单元，包括光断路器和构造成可拆卸地支撑光断路器的支撑部分。光断路器包括：构造成发出光的发光部分、构造成接收从发光部分发出的光的感光部分、以及构造成能够弹性地变形的爪部分。支撑部分包括：安装光断路器的安装表面、限定了插入爪部分的孔且设置在安装表面上且构造成与爪部分接合的孔部分、以及从安装表面突出并且构造成在爪部分与孔部分接合的状态下管控光断路器在变形方向上的位置的突出部，爪部分能够沿着所述变形方向弹性地变形。本发明还涉及一种包括光断路器单元的片材传送装置、以及包括片材传送装置的成像装置。

一种基于红外光源和PD的光收发一体芯片及其制备方法-202111344148.3
发明人：陶继方;冯亚琪 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L31/12
摘要：本发明公开了一种基于红外光源和PD的光收发一体芯片及其制备方法，该芯片包括砷化镓衬底、生长于砷化镓衬底中心区域的支撑薄膜，所述支撑薄膜和砷化镓衬底上方沉积有金属层一，所述金属层一通过剥离形成红外光源的电极、加热区域和PD的P电极，所述红外光源的电极和加热区域位于支撑薄膜上方，所述PD的P电极位于砷化镓衬底上方；所述加热区域上方生长有增透膜，所述砷化镓衬底上通过刻蚀形成窗口，所述窗口内沉积有金属层二，形成PD的N电极；所述砷化镓衬底背面或者支撑薄膜上开设隔热腔。本发明集成光学元件体积小，成本低，工艺难度小，可实现光收发一体功能。

光学传感器以及具备该光学传感器的接近传感器-202080045935.5
发明人：渡边博;菅原滉平;加藤贵敏 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L31/12
摘要：一种光学传感器，具备：发光元件(5)，出射光；受光元件(7a～7d)，对来自发光元件(5)的出射光进行受光；第1树脂体(11)，覆盖发光元件(5)以及受光元件(7a～7d)，使来自发光元件(5)的出射光透射并出射到外部；以及第2树脂体(13)，对发光元件(5)和受光元件(7a～7d)进行密封，在第1树脂体(11)的内部包含第2树脂体(13)，第2树脂体(13)比第1树脂体(11)硬。

反射型光传感器及接近传感器-202110872351.1
发明人：金本守人;冈顺治;高田敏幸;大西雅也 -专利权人：夏普福山半导体株式会社
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L31/12
摘要：反射型光传感器(1)具备在同一基板(10)上安装于同一方向安装的发光元件(11)、受光元件(12)和覆盖发光元件和受光元件的封装件(7)，封装件表面(71)包括位于发光元件的发光侧的出射面(72)和位于受光元件的受光侧的受光面(73)，受光面与基板平行，出射面向受光面倾斜。

一种抗辐射型光耦-202121865970.X
发明人：郑善林 -专利权人：成都市汉桐集成技术有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L31/12
摘要：本实用新型公开了一种抗辐射型光耦，包括金属管壳、金属底座、内磁片、光敏三极管和发光二极管，所述金属管壳的顶部固定连接有金属底座，所述金属底座的顶部设有内磁片，所述内磁片的顶部设有发光二极管，所述金属管壳的内部设有光敏三极管，所述金属管壳的顶部设有金属帽，本实用新型的有益效果是：通过加入金属帽，便于防止电器元件之间的信号传输受电磁波辐射的干扰，还可对内部各个电器元件保护，防止各个电器元件损坏，实用性高，通过加入限位块和限位孔，便于对金属帽安装时限位，防止金属帽偏移。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[发明专利]一种GaN基垂直集成光电子芯片及其制备方法有效

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