[发明专利]半导体材料的阴极荧光成像测试方法有效
| 申请号： | 201910029166.9 | 申请日： | 2019-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN111435122B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 许蕾蕾;黄增立;刘通;丁孙安 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | G01N23/223 | 分类号： | G01N23/223;G01N21/64 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;黄进 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体材料的阴极荧光成像测试方法，其包括：制备待测的半导体材料样品；应用聚焦离子束切割工艺对所述半导体材料样品进行切割，形成厚度为纳米尺寸量级的测试样品；在具有阴极荧光光谱仪的扫描电子显微镜中对所述测试样品进行阴极荧光成像测试。本发明将待测样品切割为厚度为纳米尺寸量级的测试样品(透射电子显微镜(TEM)超薄样品)在扫描电子显微镜(SEM)中进行阴极荧光成像测试，可以提升使用SEM设备进行阴极荧光成像的空间分辨率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体材料 阴极 荧光 成像 测试 方法 | ||
【主权项】：
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