[发明专利]IGBT器件在审
| 申请号： | 201910014758.3 | 申请日： | 2019-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN109888004A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 杨继业;邢军军;潘嘉;李昊;陆怡;赵龙杰;张须坤;黄璇;陈冲 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种IGBT器件，包括：设置在漂移区中的超结结构，超结结构由多个N型柱和P型柱交替排列而成。在各超结单元顶部的N型外延层中形成有IGBT器件的器件单元结构；器件单元结构包括：体区，栅极结构和源区；在体区的底部表面和对应的P型柱的顶部表面之间形成有掺杂浓度大于N型外延层的掺杂浓度的N型隔离层，N型隔离层用于实现体区和P型柱之间的隔离。本发明通过结合超结结构和N型隔离层的结构能提高器件的电流密度和降低器件的通态压降降低，还能降低器件的关断损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 超结结构 隔离层 体区 器件单元结构 降低器件 掺杂 底部表面 顶部表面 关断损耗 交替排列 通态压降 栅极结构 漂移区 超结 源区 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种IGBT器件，其特征在于，包括：超结结构，所述超结结构由多个N型柱和P型柱交替排列而成，一个所述N型柱和相邻的一个所述P型柱组成一个对应的超结单元；所述超结结构形成于N型外延层中，在所述N型外延层的底部形成有P型掺杂的集电区；所述P型柱的底部和所述集电区的顶部表面具有间距；在各所述超结单元顶部的所述N型外延层中形成有IGBT器件的器件单元结构，所述IGBT器件由多个所述器件单元结构并联而成；所述器件单元结构包括：P型掺杂的体区；在所述体区的底部表面和对应的所述P型柱的顶部表面之间形成有N型隔离层，所述N型隔离层用于实现所述体区和所述P型柱之间的隔离；栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层和多晶硅栅，被所述多晶硅栅覆盖的所述体区表面用于形成沟道；形成于所述体区的表面的由N+区组成的源区；漂移区由所述N型柱以及所述N型柱顶部和底部的N型外延层组成，所述沟道连接所述源区和所述漂移区；所述超结结构结合所述N型隔离层的结构形成使所述IGBT器件的电流密度提升和通态压降降低的结构。
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