[发明专利]改善靶盘式离子注入机注入效率的工艺方法在审
| 申请号： | 201910014695.1 | 申请日： | 2019-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN109830431A | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 韩继武;郑刚 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/266 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善靶盘式离子注入机注入效率的工艺方法，离子注入为分阶段注入，首先进行注入束流及剂量均小于标准值的离子注入，然后再恢复到标准离子注入参数进行离子注入，直至离子注入完成。所述的小于标准值的离子注入，低束流及低剂量的离子注入，能有效减轻光刻胶中的成分析出，同时还能在光刻胶的表面形成碳化层，降低光刻胶的outgas效应，避免注入的初始阶段离子注入腔室内部真空度较差的状态发生。由于前序的小于标准值的离子注入已经降低了光刻胶的outgas效应，以及表面碳化层的作用，在进行后序阶段的标准值的离子注入时，真空度低于压力容差值，能实现离子注入的持续进行而不会被中断。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 光刻胶 离子注入机 注入效率 靶盘 束流 标准离子 表面碳化 表面形成 后序阶段 析出 低剂量 分阶段 室内部 碳化层 注入腔 中断 恢复 | ||
【主权项】：
1.一种改善靶盘式离子注入机注入效率的工艺方法，其特征在于：所述的离子注入为分阶段注入，首先进行注入束流及剂量均小于标准值的离子注入，然后再恢复到标准离子注入参数进行离子注入，直至离子注入完成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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