[发明专利]改善靶盘式离子注入机注入效率的工艺方法

权利要求书

1.一种改善靶盘式离子注入机注入效率的工艺方法，其特征在于：所述的离子注入为分阶段注入，首先进行注入束流及剂量均小于标准值的离子注入，然后再恢复到标准离子注入参数进行离子注入，直至离子注入完成。

2.如权利要求1所述的改善靶盘式离子注入机注入效率的工艺方法，其特征在于：所述的离子注入，以光刻胶为掩膜，在离子束流轰击到光刻胶时，使光刻胶中的水分及挥发性气体进入离子注入腔室，影响离子注入腔室的真空度，引起outgas效应，使离子注入效率降低，甚至中断。

3.如权利要求2所述的改善靶盘式离子注入机注入效率的工艺方法，其特征在于：离子注入腔室内部的压力设置有压力容差值，使离子注入能在内部压力存在一定的波动范围内进行；当离子注入腔室内部压力超过压力容差值时，离子注入会被中断，直到离子注入腔室内部压力恢复到压力容差值范围内，离子注入再继续进行。

4.如权利要求1所述的改善靶盘式离子注入机注入效率的工艺方法，其特征在于：所述的分阶段注入，在进行小于标准值的离子注入时，首先将离子注入束流限制在标准值的50％以内，注入剂量限制在标准值的25％以内。

5.如权利要求4所述的改善靶盘式离子注入机注入效率的工艺方法，其特征在于：所述的小于标准值的离子注入，低束流及低剂量的离子注入，能有效减轻光刻胶中的成分析出，同时还能在光刻胶的表面形成碳化层，降低光刻胶的outgas效应，避免注入的初始阶段离子注入腔室内部真空度较差的状态发生。

6.如权利要求1所述的改善靶盘式离子注入机注入效率的工艺方法，其特征在于：所述的标准参数的离子注入，是将离子束流恢复到标准值，离子注入剂量是完成剩余的75％以上的注入剂量。

7.如权利要求1或5所述的改善靶盘式离子注入机注入效率的工艺方法，其特征在于：所述的分阶段注入，由于前序的小于标准值的离子注入已经降低了光刻胶的outgas效应，以及表面碳化层的作用，在进行后序阶段的标准值的离子注入时，真空度低于压力容差值，能实现离子注入的持续进行而不会被中断。

8.如权利要求1或4所述的改善靶盘式离子注入机注入效率的工艺方法，其特征在于：所述的小于标准值的离子注入，具体的离子注入束流及离子注入剂量，能依据实际工艺环境需求进行调整，取得最佳的工艺指标。