[发明专利]负电容鳍式场效应管的制备方法及负电容鳍式场效应管在审
| 申请号： | 201880099251.6 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN112997318A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 张日清;夏禹 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强;李稷芳 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请实施例公开了一种负电容鳍式场效应管的制备方法及负电容场效应晶体管，该方法包括：提供半导体衬底，其上具有鳍部；形成覆盖鳍部的顶面和侧壁、半导体衬底的第一栅绝缘层；在第一栅绝缘层上形成横跨鳍部的牺牲栅极；以牺牲栅极为掩膜，对鳍部中设于牺牲栅极两侧的部分进行掺杂，形成源区和漏区；在半导体衬底上形成与所述牺牲栅极的表面平齐的绝缘层；去除牺牲栅极，形成凹槽；在凹槽的侧面和底部依次形成第二栅绝缘层和金属栅结构，或，形成填充凹槽的金属栅结构；其中，第一栅绝缘层和/或第二栅绝缘层包括铁电材料层。本发明实施例通过将栅绝缘层部分采用先栅工艺部分采用后栅工艺，减少了凹槽中形成的结构的复杂度，提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 场效应 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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