[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201880098704.3 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN112889158A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 小川嘉寿子 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 邓毅;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体装置具备在主面界定出元件区域(110)和包围元件区域(110)的周围的周边区域(120)的半导体基体(10)，具有配置于槽的内壁面的绝缘膜(21)、以及在槽的内部配置于绝缘膜(21)之上的导电体膜(22)的外周沟槽(20)包围元件区域(110)的周围而配置于周边区域(120)。外周沟槽(20)的导电体膜(22)被设定为比形成于元件区域(110)的半导体元件的负侧的主电极的电位高的电位。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三垦电气株式会社，未经三垦电气株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880098704.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
