[发明专利]半导体激光装置的制造方法以及半导体激光装置有效
| 申请号： | 201880095693.3 | 申请日： | 2018-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN112438001B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 渊田步;高濑祯;中村直干;铃木凉子 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/227 | 分类号： | H01S5/227 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李洋;王培超 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体激光装置具备：脊(41)，依次层叠第一导电型包覆层(11)、活性层(20)以及第二导电型第一包覆层(30)而成并且顶部平坦；第一掩埋层(50)，将脊(41)的两侧掩埋至比第二导电型第一包覆层(30)高的位置；第二掩埋层(60)，覆盖第一掩埋层(50)，并且朝向脊(41)的中央方向以及脊(41)的顶部突出，由此将各突出的部分对置而形成的开口作为电流狭窄窗(61)；以及第二导电型第二包覆层(70)，将第二掩埋层(60)与电流狭窄窗(61)一起掩埋，成为脊(41)的顶部侧的第二掩埋层(60)的面形成为收敛在第二导电型第一包覆层(30)的面内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 装置 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
暂无信息
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