[发明专利]半导体激光装置的制造方法以及半导体激光装置

说明书

本发明的半导体激光装置具备：脊(41)，依次层叠第一导电型包覆层(11)、活性层(20)以及第二导电型第一包覆层(30)而成并且顶部平坦；第一掩埋层(50)，将脊(41)的两侧掩埋至比第二导电型第一包覆层(30)高的位置；第二掩埋层(60)，覆盖第一掩埋层(50)，并且朝向脊(41)的中央方向以及脊(41)的顶部突出，由此将各突出的部分对置而形成的开口作为电流狭窄窗(61)；以及第二导电型第二包覆层(70)，将第二掩埋层(60)与电流狭窄窗(61)一起掩埋，成为脊(41)的顶部侧的第二掩埋层(60)的面形成为收敛在第二导电型第一包覆层(30)的面内。

技术领域

本申请涉及半导体激光装置以及该半导体激光装置的制造方法。

背景技术

以往的半导体激光装置构成为，用阻挡层掩埋具有活性层的条纹状的脊的结构(例如，参照专利文献1)。该以往的半导体激光装置，例如在使用SiO₂制的掩膜来形成脊后，将该掩膜作为选择生长掩膜，形成以Fe掺杂InP、n型InP的顺序层叠的阻挡层。并且，在对选择生长掩膜的一部分进行蚀刻而使选择生长掩膜收缩后，对活性层的上侧的p型InP包覆层的上表面的一部分进行蚀刻，由此相对于p型InP包覆层的中央部上表面，将两侧部分的上表面形成为低。并且，在将收缩后的上述掩膜作为选择生长掩膜并叠加n型InP阻挡层后，用p型InP掩埋脊条，由此能够形成用阻挡层掩埋具有活性层的条纹状的脊的构造。

专利文献1：日本特开2011-249766号公报

为了降低半导体激光装置的工作电流，使活性层与n型阻挡层之间的空穴泄漏通路宽度狭窄是有效的，在专利文献1中，通过减薄p型包覆层的上表面的一部分而使得空穴泄漏通路宽度狭窄。然而，该方法在对p型包覆层的上表面的一部分进行蚀刻时，不能控制性良好地停止蚀刻，难以以所希望的厚度残留p型包覆层。另外，还存在晶片面内蚀刻速率不均匀的情况，因此难以遍及晶片整个面以所希望的厚度残留p型包覆层。特别是在不残留p型包覆层，而是蚀刻至到达活性层上表面的位置为止的情况下，由于活性层与n型阻挡层相连而产生电子泄漏，无法降低工作电流。并且，在对p型包覆层的上表面的一部分进行蚀刻时，由于同时对p型包覆层附近的掩埋层进行蚀刻，因此形成于掩埋层之上的n型阻挡层的末端部的下表面接近活性层。因此，从活性层侧方经由掩埋层向n型InP阻挡层的电子泄漏增加。

发明内容

本申请公开了用于解决上述课题的技术，其目的在于，提供一种空穴泄漏通路宽度狭窄、且能够抑制电子泄漏的半导体激光装置以及其制造方法。

本申请所公开的半导体激光装置的制造方法包含：脊形成工序，在具有第一导电型的第一导电型基板的表面，依次层叠具有第一导电型的第一导电型包覆层、活性层、具有导电型与第一导电型相反的第二导电型的第二导电型第一包覆层、以及由与第二导电型第一包覆层不同的半导体材料构成的盖层，而形成层叠构造体，并将该层叠构造体的两侧蚀刻至比活性层接近第一导电型基板的位置，而形成脊；脊掩埋工序，将脊的两侧，用具有与第一导电型不同的导电型的第一掩埋层掩埋至比第二导电型第一包覆层高的位置；第二掩埋层形成工序，以覆盖脊和第一掩埋层的方式使具有第一导电型的第二掩埋层生长；盖层露出工序，对与脊的中央对应的位置的第二掩埋层进行蚀刻，而使盖层向脊的中央露出；第一包覆层露出工序，去除向脊的中央露出的盖层，而使第二导电型第一包覆层露出；以及第二包覆层形成工序，以掩埋第二掩埋层、向脊的中央露出的第二导电型第一包覆层、和在第二掩埋层与第二导电型第一包覆层之间露出的盖层的侧面的方式使具有第二导电型的第二导电型第二包覆层生长。