[发明专利]III-V族化合物半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201880093229.0 | 申请日： | 2018-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN112154535A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 中井荣治 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223;H01L21/22;H01S5/042;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 金世煜;李书慧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种III―V族化合物半导体装置(100)的制造方法，具备：第1工序，向设定为第1温度(T1)的反应炉(220)供给V族原料气体(250d)和杂质原料气体(250e)，在未掺杂的III―V族化合物半导体层中添加杂质；第2工序，停止上述杂质原料气体(250e)的供给，将上述反应炉(220)的温度升温至高于上述第1温度(T1)的第2温度(T2)，继续进行上述V族原料气体(250d)的供给。 | ||
| 搜索关键词： | iii 化合物 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
