[发明专利]窄光束发散半导体源在审
申请号: | 201880090265.1 | 申请日: | 2018-12-26 |
公开(公告)号: | CN111758193A | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 让-弗朗西斯·苏仁;罗伯特·万·莱文;C·高希 | 申请(专利权)人: | 普林斯顿光电子公司 |
主分类号: | H01S5/183 | 分类号: | H01S5/183;H01S5/187;G02B3/00 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 宋颖娉;宋志强 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 窄光束发散半导体源可操作以产生具有大体上窄的光束发散、发射波长及大体上均匀的光束强度的光束。延伸长度镜的存在可有助于抑制一个或多个纵向模式和/或横向模式,以使得光束发散和/或发射的光谱宽度大体上减小。 | ||
搜索关键词: | 光束 发散 半导体 | ||
【主权项】:
暂无信息
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