[发明专利]窄光束发散半导体源在审

专利信息
申请号: 201880090265.1 申请日: 2018-12-26
公开(公告)号: CN111758193A 公开(公告)日: 2020-10-09
发明(设计)人: 让-弗朗西斯·苏仁;罗伯特·万·莱文;C·高希 申请(专利权)人: 普林斯顿光电子公司
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183;H01S5/187;G02B3/00
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 宋颖娉;宋志强
地址: 美国新*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 窄光束发散半导体源可操作以产生具有大体上窄的光束发散、发射波长及大体上均匀的光束强度的光束。延伸长度镜的存在可有助于抑制一个或多个纵向模式和/或横向模式,以使得光束发散和/或发射的光谱宽度大体上减小。
搜索关键词: 光束 发散 半导体
【主权项】:
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