[发明专利]窄光束发散半导体源

权利要求书

1.一种窄光束发散半导体源，其可操作以产生具有大体上窄的光束发散、发射波长及大体上均匀的光束强度的光束，所述窄光束发散半导体源包括：

光学谐振腔，其包括具有第一侧及第二侧的高反射镜，具有第一侧及第二侧的延伸长度镜，以及有源区域；

所述高反射镜及所述延伸长度镜设置在所述有源区域的远端侧上，使得所述高反射镜的所述第一侧耦合至所述有源区域的第一侧，且所述延伸长度镜的所述第一侧耦合至所述有源区域的第二侧，所述有源区域的所述第二侧与所述有源区域的所述第一侧相对；以及

多个电接点，其可操作以将电流引导至所述有源区域。

2.根据权利要求1所述的窄光束发散半导体源，其中，所述延伸长度镜及所述高反射镜可操作以抑制一个或多个纵向模式和/或横向模式，以使得一个或多个纵向模式和/或横向模式产生激光。

3.根据权利要求2所述的窄光束发散半导体源，其中，仅一个纵向模式产生激光。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的窄光束发散半导体源，其中，所述延伸长度镜具有：

有效穿透深度，其从所述延伸长度镜的所述第一侧延伸多个发射波长距离；以及

相对的折射率差。

5.根据权利要求4所述的窄光束发散半导体源，其中，所述高反射镜具有：

有效穿透深度，其从所述高反射镜的所述第一侧延伸多个发射波长距离；以及

相对的折射率差及相对的折射率差。

6.根据权利要求4所述的窄光束发散半导体源，其中，所述延伸长度镜的所述有效穿透深度在46个发射波长距离至116个波长距离之间延伸。

7.根据权利要求5所述的窄光束发散半导体源，其中，所述高反射镜的所述有效穿透深度在15个发射波长距离至30个发射波长距离之间延伸。

8.根据前述权利要求中任一项所述的窄光束发散半导体源，其中，半峰全宽强度发散角小于10°。

9.根据权利要求4所述的窄光束发散半导体源，其中，所述延伸长度镜的所述穿透深度是在6微米和15微米之间，所述发射波长是在700nm和1064nm之间，且所述相对的折射率差是在1％和7％之间。

10.根据权利要求5所述的窄光束发散半导体源，其中，所述高反射镜的所述穿透深度是在2微米和4微米之间，所述发射波长是在700nm和1064nm之间，且所述相对的折射率差是在10％和20％之间。

11.根据前述权利要求中任一项所述的窄光束发散半导体源，其中，所述源可操作为VCSEL。

12.根据权利要求1至10中任一项权利要求所述的窄光束发散半导体源，其中，所述源可操作为RC-LED。

13.根据权利要求1至10中任一项权利要求所述的窄光束发散半导体源，其中，所述源可操作为LED。

14.根据前述权利要求中任一项所述的窄光束发散半导体源，其中，所述高反射镜还包括补充延伸长度镜，所述补充延伸长度镜具有大体上与所述高反射镜的所述第一侧重合的第一侧，所述补充延伸长度镜具有有效穿透深度，所述有效穿透深度从所述补充延伸长度镜的所述第一侧延伸多个发射波长距离，所述补充延伸长度镜还具有相对的折射率差。

15.根据权利要求14所述的窄光束发散半导体源，其中，所述补充延伸长度镜的所述有效穿透深度延伸至少46个发射波长距离。

16.根据权利要求14所述的窄光束发散半导体源，其中，所述补充延伸长度镜的所述有效穿透深度延伸少于116个发射波长距离。