[发明专利]气化器、基板处理装置及半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201880089963.X | 申请日： | 2018-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN111742394A | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 野内英博;稻田哲明;立野秀人 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 刘伟志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种气化器，具备：液体原料供给部，其供给液体原料；气化容器，其构成在内部将由上述液体原料供给部供给的液体原料气化的气化室；第1加热器，其对上述气化容器进行加热；和隔热部件，其设为将从上述第1加热器散放的热相对于上述液体原料供给部隔断。 | ||
| 搜索关键词： | 气化 处理 装置 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
