[发明专利]气化器、基板处理装置及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种气化器，具备：

液体原料供给部，其供给液体原料；

气化容器，其构成在内部将由所述液体原料供给部供给的液体原料气化的气化室；

第1加热器，其对所述气化容器进行加热；和

隔热部件，其设为将从所述第1加热器散放的热相对于所述液体原料供给部隔断。

2.如权利要求1所述的气化器，其中，具备：

第2加热器，其对所述液体原料供给部进行加热；和

控制部，其分别单独控制所述第1加热器的温度和所述第2加热器的温度。

3.如权利要求2所述的气化器，其中，

所述隔热部件设在所述第1加热器与所述第2加热器之间。

4.如权利要求1至3中任一项所述的气化器，其中，

所述气化容器构成为，具有筒形状的外侧容器部和设在所述外侧容器部的内侧的柱状的内侧容器部，

所述内侧容器部的外侧壁在与所述外侧容器部的内侧壁之间隔开规定间隙而设置，由此在所述间隙形成供所述液体原料气化的筒状的气体流路，

所述筒状的气体流路的宽度为0.6mm以上0.8mm以下。

5.如权利要求1至4中任一项所述的气化器，其中，

所述隔热部件构成为，使得所述液体原料供给部的温度为100℃以下。

6.如权利要求2或3所述的气化器，其中，

所述控制部以使所述液体原料供给部的温度成为80℃以上100℃以下的方式控制所述第2加热器的温度。

7.如权利要求1至6中任一项所述的气化器，其中，

所述液体原料供给部具备将所述液体原料喷出到所述气化室内的排喷口、和将所述液体原料导入至所述排喷口的液体原料供给管。

8.如权利要求7所述的气化器，其中，

所述液体原料供给部具备：设于所述排喷口的附近且以使运载气体向所述气化室内喷出的方式构成的运载气体喷出口、和将运载气体导入至所述运载气体喷出口的运载气体供给管。

9.如权利要求1至8中任一项所述的气化器，其中，

所述气化容器及所述液体原料供给部由石英构成，两者形成为一体。

10.如权利要求1至9中任一项所述的气化器，其中，

在所述第1加热器与所述气化容器之间设有第1金属块，该第1金属块设为被所述第1加热器加热而将热传导到所述气化容器，

所述隔热部件覆盖所述第1金属块的表面的至少一部分，以使得从所述第1金属块散放的热相对于所述液体原料供给部隔断。

11.如权利要求10所述的气化器，其中，

所述气化容器具有筒形状的外侧容器部，所述第1金属块以覆盖所述外侧容器部的外侧面的方式，从下方设至与所述气化容器的连接有所述液体原料供给部的顶壁相同的高度位置，或者从下方设至比所述顶壁低的位置。

12.如权利要求10或11所述的气化器，其中，

在所述第2加热器与所述液体原料供给部之间设有第2金属块，该第2金属块设为被所述第2加热器加热而将热传导到所述液体原料供给部，

所述隔热部件设在所述第1金属块与所述第2金属块之间。

13.如权利要求1至12中任一项所述的气化器，其中，

所述液体原料包含过氧化氢。