[发明专利]气化器、基板处理装置及半导体器件的制造方法

说明书

一种气化器，具备：液体原料供给部，其供给液体原料；气化容器，其构成在内部将由上述液体原料供给部供给的液体原料气化的气化室；第1加热器，其对上述气化容器进行加热；和隔热部件，其设为将从上述第1加热器散放的热相对于上述液体原料供给部隔断。

技术领域

本发明涉及气化器、基板处理装置及半导体器件的制造方法。

背景技术

作为从通过绝缘物涂布法、化学气相沉积法等形成的膜得到更为致密的膜的方法，向膜供给改质气体而对膜进行改质。例如如专利文献1所公开的技术那样，作为从绝缘材料的膜得到更为致密的SiO膜等氧化膜的方法，已知向绝缘材料的膜供给含有过氧化氢(H₂O₂)的气体来对该膜进行改质。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2013/077321号

发明内容

作为生成含有H₂O₂的气体这样的所希望的处理气体的手法之一，考虑通过气化器使液体原料气化来得到所希望的气体。但是在以往的气化器中，难以精密地管理、控制导入到气化器内的液体原料的温度。

根据本发明的一个方式，提供一种气化器，具备：液体原料供给部，其供给液体原料；气化容器，其构成在内部将由上述液体原料供给部供给的液体原料气化的气化室；第1加热器，其对上述气化容器进行加热；和隔热部件，其设为将从上述第1加热器散放的热相对于上述液体原料供给部隔断。

发明效果

根据本发明，在使液体原料气化的气化器中，能够精密地管理、控制导入到气化器内的液体原料的温度。

附图说明

图1是表示一个实施方式的基板处理装置的结构的概略结构图。

图2是表示一个实施方式的基板处理装置所具备的处理炉的结构的纵截面概略图。

图3是表示一个实施方式的基板处理装置所具备的气化器的概要的纵截面构造图。

图4的(A)是表示本实施方式中的气化器的概要的纵截面结构图，图4的(B)是图4的(A)所示的气化器的间隙的示意图。

图5的(A)是表示在1.0mm的平行平板间流动的气体的温度的计算结果的图，图5的(B)是表示在0.8mm的平行平板间流动的气体的温度的计算结果的图。

图6是表示使水蒸气以25slm流到间隙的情况下的压力上升量的计算结果的图。

图7是一个实施方式的基板处理装置所具备的控制器的概略结构图。

图8是表示针对一个实施方式的基板处理工序的事前处理工序的流程图。

图9是表示一个实施方式的基板处理工序的流程图。

图10是表示第2实施方式的气化器的概要的纵截面构造图。

图11的(A)是表示本实施例的气化器的概要的纵截面构造图，图11的(B)是表示比较例的气化器的概要的纵截面构造图。

具体实施方式

＜本发明的一个实施方式＞

以下，参照附图更详细地说明本发明的优选实施方式。

(1)基板处理装置的结构