[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201880088899.3 | 申请日： | 2018-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN111712925B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 林田哲郎;南條拓真;绵引达郎 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/12;H01L29/201 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李今子 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的半导体装置具备：支撑基板，具有第1主面及第2主面；第1导电类型的第1GaN层，设置于支撑基板的第1主面侧；第1导电类型的第2GaN层，设置于第1GaN层上；AlxGa1‑xN(0x1)层，设置于第2GaN层上；第2导电类型的第3GaN层，设置于AlxGa1‑xN(0x1)层上；第1导电类型的第4GaN层，设置于第3GaN层上；绝缘膜，至少覆盖第4GaN层上；沟槽栅极，从第4GaN层的上表面到达第2GaN层内；栅极电极，隔着栅极绝缘膜设置于沟槽栅极内；第1主电极，与第3GaN层连接；以及第2主电极，与第1主电极成对，第3GaN层的施主浓度低于第4GaN层的施主浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880088899.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
