[发明专利]具有锁定组件的光电模块及其制造方法在审
申请号: | 201880085536.4 | 申请日: | 2018-10-25 |
公开(公告)号: | CN111602245A | 公开(公告)日: | 2020-08-28 |
发明(设计)人: | 博扬·泰沙诺比;马里奥·西萨纳;卡米亚·卡马里;豪穆特·鲁德曼 | 申请(专利权)人: | ams传感器新加坡私人有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/0203;H01L31/0232;H01L33/48;H01L33/58;G02B7/02 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 史迎雪;王琦 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开描述了具有锁定组件的光电模块及其制造方法。在一些情况下,锁定组件可以改善制造过程中的安装步骤,并且可以增加锁定组件被结合于其中的光电模块的使用寿命。锁定组件可以包括包覆成型件突起和光学元件壳体突起、以及被结合于包覆成型件壳体部件中的锁定边缘。 | ||
搜索关键词: | 具有 锁定 组件 光电 模块 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的