[发明专利]集成组合件及形成集成组合件的方法有效

专利信息
申请号: 201880085068.0 申请日: 2018-11-14
公开(公告)号: CN111542924B 公开(公告)日: 2023-08-15
发明(设计)人: 氏原慎吾;竹谷博昭 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H10B12/00 分类号: H10B12/00
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一些实施例包含一种集成组合件,其具有经配置以包括一对基座的第一半导体材料。所述基座具有通过空间彼此分离的上部区,且具有在所述空间下方的底板区处彼此接合的下部区。第二半导体材料经配置为延伸于所述基座之间的桥。所述桥通过间隙与所述底板区隔开。所述桥具有邻近所述基座的端部,且具有介于所述端部之间的主体区。所述主体区具有外周边。源极/漏极区在所述基座内,且沟道区在所述桥内。介电材料围绕所述桥的所述主体区的所述外周边延伸。导电材料围绕所述介电材料延伸。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
搜索关键词: 集成 组合 形成 方法
【主权项】:
暂无信息
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