[发明专利]集成组合件及形成集成组合件的方法有效
申请号: | 201880085068.0 | 申请日: | 2018-11-14 |
公开(公告)号: | CN111542924B | 公开(公告)日: | 2023-08-15 |
发明(设计)人: | 氏原慎吾;竹谷博昭 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H10B12/00 | 分类号: | H10B12/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一些实施例包含一种集成组合件,其具有经配置以包括一对基座的第一半导体材料。所述基座具有通过空间彼此分离的上部区,且具有在所述空间下方的底板区处彼此接合的下部区。第二半导体材料经配置为延伸于所述基座之间的桥。所述桥通过间隙与所述底板区隔开。所述桥具有邻近所述基座的端部,且具有介于所述端部之间的主体区。所述主体区具有外周边。源极/漏极区在所述基座内,且沟道区在所述桥内。介电材料围绕所述桥的所述主体区的所述外周边延伸。导电材料围绕所述介电材料延伸。一些实施例包含形成集成组合件的方法。 | ||
搜索关键词: | 集成 组合 形成 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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