[发明专利]集成晶体管器件的硅化物结构及其提供方法

摘要

技术和机制用于提供包括栅极功函数硅化物的共形层的晶体管的功能。在实施例中，晶体管包括沟道区和延伸并邻接沟道区的栅极电介质。所述栅极电介质还邻接晶体管的层结构，所述层结构包括硅化物。所述硅化物包括硅和组分D，所述组分D包括来自IIIa族、IVa族或Va族中的一个的非金属元素。在另一个实施例中，硅化物还包括组分M，所述组分M包括来自IVb族、Vb族、VIb族、VIIB族或VIIIb族中的一个的过渡金属元素和/或包括来自IIIa族、IVa族或Va族中的一个的金属元素。