[发明专利]集成晶体管器件的硅化物结构及其提供方法

权利要求书

1.一种集成电路(IC)器件，所述IC器件包括：

晶体管结构，所述晶体管结构包括：

沟道区，所述沟道区包括半导体；

沿着所述沟道区的侧面的第一层，所述第一层包括电介质材料；以及

沿着所述第一层的侧面的第二层，所述第二层包括硅化物，其中，所述第二层与弯曲或成角度的表面基本上共形，其中，所述第二层的平均最小厚度等于或小于20纳米(nm)，并且其中，所述第二层沿着所述弯曲或成角度的所述表面的高度的跨度大于或等于与所述第二层的所述平均最小厚度的三倍相等的距离。

2.根据权利要求1所述的IC器件，其中，所述硅化物包括：

硅；

一种或多种元素，所述一种或多种元素中的每种元素来自IIIa族、IVa族或Va族中的相应的一个；以及

至少两种金属，其中，所述至少两种金属中的第一种来自IIIa族、IVa族、Va族、IVb族、Vb族、VIb族、VIIB族或VIIIb族。

3.根据权利要求2所述的IC器件，其中，所述至少两种金属包括铝(Al)、镓(Ga)、铪(Hf)、铟(In)、铌(Nb)、锇(Os)、钌(Ru)、钽(Ta)、钛(Ti)、钨(W)、钇(Y)或锆(Zr)。

4.根据权利要求2所述的IC器件，其中，所述至少两种金属中的第二种来自IIIa族、IVa族、Va族、IVb族、Vb族、VIb族、VIIB族或VIIIb族。

5.根据权利要求1所述的IC器件，其中，所述硅化物包括硅和组分M，所述组分M包括：

一种或多种过渡金属元素，所述一种或多种过渡金属元素中的每种过渡金属元素来自IVb族、Vb族、VIb族、VIIB族或VIIIb族中的相应的一个；或者

一种或多种金属元素，所述一种或多种金属元素中的每种金属元素来自IIIa族、IVa族或Va族中的相应的一个。

6.根据权利要求5所述的IC器件，其中，所述组分M包括金属Ml、M2，所述金属M1、M2各自具有不同的相应金属类型。

7.根据权利要求5所述的IC器件，其中，所述组分M包括铝(Al)、铪(Hf)、钽(Ta)、钛(Ti)或钨(W)。

8.根据权利要求1所述的IC器件，其中，所述IC器件包括鳍状物结构，所述鳍状物结构包括在所述晶体管结构的源极区与所述晶体管结构的漏极区之间沿着所述鳍状物结构的长度延伸的所述沟道区，其中，所述第二层的周界形成平行于所述鳍状物结构的所述长度延伸的边缘结构。

9.一种用于制造晶体管结构的方法，所述方法包括：

形成包括半导体的沟道区；

在所述沟道区之上沉积包括电介质材料的第一层；以及

在所述第一层上形成包括硅化物的第二层，其中，所述第二层与弯曲或成角度的表面基本上共形，其中，所述第二层的平均最小厚度等于或小于20纳米(nm)，并且其中，所述第二层沿着所述弯曲或成角度的所述表面的高度的跨度大于或等于与所述第二层的所述平均最小厚度的三倍相等的距离。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述第二层包括：

在所述第一层上沉积第一材料；

在沉积所述第一材料之后，在所述第一材料的一部分上沉积第二材料；以及

使所述第一材料的所述部分与所述第二材料的一部分反应，以形成所述硅化物。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述第二层包括在沉积所述第二材料之前蚀刻掉所述第一材料的另一部分。