[发明专利]使用碳基膜空间选择性灰化改善沉积引起的CD不平衡的方法在审
| 申请号： | 201880077280.2 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN111512413A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 伊时塔克·卡里姆;普尔凯特·阿加瓦尔;约瑟夫·R·阿贝尔;普鲁肖塔姆·库马尔;阿德里安·拉沃伊 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种用于利用碳基沉积物在晶片上形成特征的方法。对所述碳基沉积物进行预调节，其中，所述预调节导致所述碳基沉积物中的一些的不均匀去除。通过原子层沉积工艺沉积氧化硅基材料的氧化物沉积物，其中所述沉积所述氧化物沉积物导致所述碳基沉积物中的一些的不均匀去除，其与通过所述预调节导致的所述碳基沉积物中的一些的不均匀去除互补。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 碳基膜 空间 选择性 灰化 改善 沉积 引起 cd 不平衡 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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