[发明专利]使用碳基膜空间选择性灰化改善沉积引起的CD不平衡的方法

说明书

提供了一种用于利用碳基沉积物在晶片上形成特征的方法。对所述碳基沉积物进行预调节，其中，所述预调节导致所述碳基沉积物中的一些的不均匀去除。通过原子层沉积工艺沉积氧化硅基材料的氧化物沉积物，其中所述沉积所述氧化物沉积物导致所述碳基沉积物中的一些的不均匀去除，其与通过所述预调节导致的所述碳基沉积物中的一些的不均匀去除互补。

相关申请的交叉引用

本申请要求2017年11月29日提交的美国临时申请No.62/591,949和2018年5月8日提交的美国申请No.15/974,172的优先权，其全部内容通过引用并入本文以用于所有目的。

背景

本公开涉及半导体器件的形成。更具体地，本公开涉及半导体器件的形成，其中图案倍增用于将掩模密度或线频率变为双倍或四倍。这样的图案倍增可以在碳特征周围形成氧化物间隔物，然后去除碳特征，从而使氧化物间隔物充当掩模。

发明内容

为了实现前述目的并且根据本公开的目的，提供了一种用于利用碳基沉积物在晶片上形成特征的方法。对所述碳基沉积物进行预调节，其中，所述预调节导致所述碳基沉积物中的一些的不均匀去除。通过原子层沉积工艺沉积氧化硅(SiO₂)基材料的氧化物沉积物，其中所述沉积所述氧化物沉积物导致所述碳基沉积物中的一些的不均匀去除，其与通过所述预调节导致的所述碳基沉积物中的一些的不均匀去除互补。

在另一表现形式中，提供了一种用于利用碳基沉积物在晶片上形成特征的方法。对所述碳基沉积物进行预调节，其中，所述预调节导致所述碳基沉积物中的一些的不均匀去除。通过原子层沉积工艺沉积氧化物沉积物，其中所述沉积所述氧化物沉积物导致所述碳基沉积物中的一些的不均匀去除。提供至少一个额外的工艺，其中所述至少一个额外的工艺完成所述晶片上的特征的形成，其中，所述特征比在不具有预调节的情况下将形成的特征较均匀。

本发明的这些特征和其它特征将在下面在本公开的详细描述中并结合以下附图进行更详细的描述。

附图说明

在附图中以示例而非限制的方式示出了本公开，并且附图中相同的附图标记表示相似的元件，其中：

图1是实施方案的高级流程图。

图2是可以在一个实施方案中使用的处理室的示意图。

图3是可用于实践实施方案的计算机系统的示意图。

图4A-F是根据一个实施方案处理的堆叠件的示意性截面图。

图5是预调节工艺的更详细的流程图。

图6是较低能量的氧化物沉积的更详细的流程图。

图7是较高能量的氧化物沉积的更详细的流程图。

图8是根据一个实施方案的碳去除的曲线图。

图9是另一实施方案的流程图。

具体实施方式

现在将参考附图中所示的几个优选实施方案来详细描述本公开的实施方案。在下面的描述中，阐述了许多具体细节以便提供对本公开的彻底理解。然而，对于本领域技术人员显而易见的是，本公开可以在没有这些具体细节中的一些或全部的情况下实施。在其他情况下，未详细描述公知的工艺步骤和/或结构，以免不必要地使本公开不清楚。