[发明专利]衬底的背侧摩擦减小在审
| 申请号： | 201880077107.2 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN111433886A | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 姜浩英 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;G03F7/26;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;苏虹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 处理室系统包括被配置成将衬底固定在第一处理室内的衬底安装模块。该系统还包括被配置成将感光膜施加至衬底的正侧表面的第一沉积模块以及被配置成将膜层施加至衬底的背侧表面的第二沉积模块。正侧表面与衬底的背侧表面相反。衬底具有裸露的背侧表面，该裸露的背侧表面具有第一摩擦系数。在衬底的背侧表面上形成膜层。形成在衬底的背侧表面上的膜层具有第二摩擦系数。第二摩擦系数低于第一摩擦系数。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 摩擦 减小 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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