[发明专利]衬底的背侧摩擦减小

权利要求书

1.一种处理衬底的方法，所述方法包括：

将所述衬底容纳在衬底处理室中，所述衬底具有正侧表面和与所述正侧表面相反的背侧表面，在形成膜层之前所述衬底的背侧表面具有第一摩擦系数；以及

在所述衬底的所述背侧表面上形成含氟化学物质膜层，在所述衬底的背侧表面上形成的所述膜层具有第二摩擦系数，所述第二摩擦系数低于所述第一摩擦系数。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述含氟化学物质层包含以下中的一者：全氟癸基三氯硅烷、全氟辛基三氯硅烷、全氟七氯硅烷、全氟丁基氯硅烷、全氟辛基三乙氧基硅烷、全氟癸基三乙氧基硅烷、全氟辛基三甲氧基硅烷、全氟癸基三甲氧基硅烷、全氟癸基一氯二甲基硅烷、全氟辛基一氯二甲基硅烷、全氟丁基一氯二甲基硅烷、全氟辛基三乙氧基二甲基硅烷、全氟癸基乙氧基二甲基硅烷、全氟辛基甲氧基二甲基硅烷或全氟癸基甲氧基二甲基硅烷。

3.根据权利要求1所述的方法，其中形成膜层包括：

使所述背侧表面暴露于含氟液体或气体中；以及

使所述正侧表面暴露于保持在比所述含氟气体或液体更高的压力下的气体中。

4.根据权利要求1所述的方法，其中形成膜层包括分子气相沉积或分子液相沉积。

5.根据权利要求1所述的方法，其中去除膜层包括以下中的一者：使所述膜层暴露于含氧气体中；使所述膜层暴露于含氧等离子体中；或使所述膜层暴露于含氧气体以及紫外线的组合中。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述背侧表面上形成膜层之前，使所述背侧表面暴露于化学处理，其中所述化学处理包括水、单原子氧、双原子氧或三原子氧中的一者。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述衬底的背侧表面上形成所述膜层之后，将所述衬底固定至衬底卡盘，其中在所述背侧表面上形成所述膜层之前的所述衬底的第一测量摩擦系数大于在所述背侧表面上形成所述膜层之后的所述衬底的第二测量摩擦系数。

8.根据权利要求7所述的方法，其中当在第一弯曲和第二弯曲期间所述衬底被固定至卡盘时，具有粘附至所述衬底的所述背侧表面的膜层的所述衬底的第一弯曲小于不具有粘附至所述背侧表面的膜层的所述衬底的第二弯曲。

9.根据权利要求7所述的方法，其中当在第一变形和第二变形期间所述衬底被固定至卡盘时，具有粘附至所述衬底的所述背侧表面的膜层的所述衬底的第一变形小于不具有粘附至所述背侧表面的膜层的所述衬底的第二变形。

10.根据权利要求1所述的方法，其中在光致抗蚀剂层暴露于光化辐射图案之后发生所述光致抗蚀剂层的显影，并且其中在所述光致抗蚀剂层暴露于所述光化辐射图案之前在所述衬底的背侧表面上形成所述膜层。

11.一种衬底，包括：

衬底，其具有正侧表面和与所述正侧表面相反的背侧表面，其中所述衬底的裸露的背侧表面具有第一摩擦系数；以及

含氟化学物质膜层，其形成在所述衬底的背侧表面上，其中形成在所述衬底的背侧表面上的膜层具有第二摩擦系数，并且所述第二摩擦系数低于所述第一摩擦系数。

12.根据权利要求11所述的衬底，其中当在第一测量变形和第二测量变形期间所述衬底被固定至衬底卡盘时，具有所述裸露的背侧表面的所述衬底的所述第一测量变形大于具有形成在所述背侧表面上的所述含氟化学物质膜层的所述衬底的所述第二测量变形。

13.根据权利要求11所述的衬底，其中所述含氟化学物质膜层包含以下中的一者：全氟癸基三氯硅烷、全氟辛基三氯硅烷、全氟七氯硅烷、全氟丁基氯硅烷、全氟辛基三乙氧基硅烷、全氟癸基三乙氧基硅烷、全氟辛基三甲氧基硅烷、全氟癸基三甲氧基硅烷、全氟癸基一氯二甲基硅烷、全氟辛基一氯二甲基硅烷、全氟丁基一氯二甲基硅烷、全氟辛基三乙氧基二甲基硅烷、全氟癸基乙氧基二甲基硅烷、全氟辛基甲氧基二甲基硅烷或全氟癸基甲氧基二甲基硅烷。