[发明专利]衬底的背侧摩擦减小

说明书

处理室系统包括被配置成将衬底固定在第一处理室内的衬底安装模块。该系统还包括被配置成将感光膜施加至衬底的正侧表面的第一沉积模块以及被配置成将膜层施加至衬底的背侧表面的第二沉积模块。正侧表面与衬底的背侧表面相反。衬底具有裸露的背侧表面，该裸露的背侧表面具有第一摩擦系数。在衬底的背侧表面上形成膜层。形成在衬底的背侧表面上的膜层具有第二摩擦系数。第二摩擦系数低于第一摩擦系数。

相关申请

本申请要求于2016年7月21日提交的美国临时申请号62/365,228，于2017年7月14日提交的美国非临时申请号15/650,352的优先权，其中，上述申请中的每一个通过引用以其全部内容并入本文。

背景技术

半导体工业中的集成电路(IC)的制造通常采用一系列工艺步骤来使特征图案化以在硅衬底上形成IC。迭代的图案化工艺可能会在图案级别之间引入未对准误差，并且可能无法形成IC的用于实现其预期目的的图案化特征。随着IC几何尺寸随时问减小，图案未对准对器件良率和性能的影响越来越大。因此，任何减少图案未对准的技术对IC制造商都是有利的。

本文提供的“背景技术”描述是出于总体上呈现本公开的上下文的目的。在该背景技术部分中所描述的范围内，目前指名的发明人的工作以及在提交时可能以其他方式算不上常规技术的描述的各个方面既未明确也未隐含地被承认为相对于本公开的常规技术。

发明内容

在一个实施方案中，一种处理衬底的方法包括将衬底容纳在衬底处理室中。衬底具有正侧表面和与该正侧表面相反的背侧表面。该方法还包括：在衬底的背侧表面上形成膜层；在衬底的正侧表面上形成光致抗蚀剂层；以及使光致抗蚀剂层显影。该方法还包括从衬底的背侧表面去除膜层。

前述段落是通过一般介绍的方式提供的，并且无意于限制所附权利要求书的范围。通过参考以下结合附图进行的详细描述，将最好地理解所描述的实施方案以及另外的优点。

附图说明

由于本公开及其很多附随的优点通过参考结合附图考虑的下面的详细描述而变得更好理解，所以可以容易地获得对本公开及其很多附随的优点的更全面的理解，在附图中：

图1示出了根据一个实施方案的示例性处理系统；

图2A示出了根据一个实施方案的被定位在卡盘上的示例性晶片；

图2B示出了根据一个实施方案的固定至真空或静电荷卡盘的晶片；

图3示出了根据一个实施方案的晶片的纹理化表面；

图4示出了根据一个实施方案的平坦地抵靠卡盘固定的晶片；

图5A示出了根据一个实施方案的全氟癸基三氯硅烷(PFDS)分子；

图5B示出了根据一个实施方案的具有接合至硅表面的PFDS分子的硅晶片；

图6A示出了根据一个实施方案的没有进行背侧处理的晶片；

图6B示出了根据一个实施方案的具有背侧含氟化学物质涂层的晶片；

图6C示出了根据一个实施方案的在施加含氟化学物质涂层之前进行预处理氧蚀刻的晶片；

图7示出了根据一个实施方案的处理室的剖视图；

图8是根据一个实施方案的示例性计算装置的框图；以及

图9是根据一个实施方案的处理衬底的示例性方法的流程图。

具体实施方式

下面的描述旨在通过给出本公开的特定示例和实施方案来进一步阐明本公开。这些实施方案旨在是说明性的，而不是穷举的。本公开的全部范围不限于说明书中公开的任何特定实施方案，而是由权利要求书限定。