[发明专利]球焊用贵金属被覆银线及其制造方法、及使用球焊用贵金属被覆银线的半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201880072388.2 | 申请日： | 2018-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN111344846A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 千叶淳;安德优希;川野将太 | 申请（专利权）人： | 田中电子工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 姚亮;张德斌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种贵金属被覆银接合线，其在以接合线将半导体芯片的电极与引线框架等的电极连接的半导体装置中，即使在汽车等严苛的高温高湿条件下亦可抑制接合界面的腐蚀，而避免发生导电不良。本发明的球焊用的贵金属被覆银线，是在由纯银或银合金所构成的芯材上具备贵金属被覆层的贵金属被覆银线，其特征为：线材包含至少1种硫族元素，贵金属被覆层的至少1层为钯层，钯相对于线材整体的含量为0.01质量％以上5.0质量％以下，且硫族元素相对于线材整体的含量为0.1质量ppm以上100质量ppm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 球焊 贵金属 被覆 及其 制造 方法 使用 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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