[发明专利]球焊用贵金属被覆银线及其制造方法、及使用球焊用贵金属被覆银线的半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种球焊用贵金属被覆银线，其是在由纯银或银合金所构成的芯材上具备贵金属被覆层的贵金属被覆银线，其特征为：线材包含至少1种硫族元素，贵金属被覆层的至少1层为钯层，钯相对于线材整体的含量总计为0.01质量％以上5.0质量％以下，且硫族元素相对于线材整体的含量总计为0.1质量ppm以上100质量ppm以下。

2.如权利要求1所述的球焊用贵金属被覆银线，其中所述贵金属被覆层进一步至少1层为金层，且金相对于线材整体的含量为0.01质量％以上且小于1.0质量％。

3.如权利要求1所述的球焊用贵金属被覆银线，其中所述钯层的外周面具备金层。

4.如权利要求1所述的球焊用贵金属被覆银线，其中所述钯层的外周面及芯材面分别具备金层。

5.如权利要求1所述的球焊用贵金属被覆银线，其中所述芯材包含铜，且铜相对于线材整体的含量为0.005质量％以上2.0质量％以下。

6.一种球焊用贵金属被覆银线的制造方法，其是制造在由纯银或银合金所构成的芯材上具备贵金属被覆层的贵金属被覆银线的方法，其特征为：线材包含至少1种硫族元素，贵金属被覆层的至少1层为钯层，钯相对于线材整体的含量总计为0.01质量％以上5.0质量％以下，且硫族元素相对于线材整体的含量总计为0.1质量ppm以上100质量ppm以下。

7.如权利要求6所述的球焊用贵金属被覆银线的制造方法，其中所述贵金属被覆层进一步至少1层为金层，且金相对于线材整体的含量为0.01质量％以上且小于1.0质量％。

8.如权利要求6所述的球焊用贵金属被覆银线的制造方法，其中所述钯层的外周面具备金层。

9.如权利要求6所述的球焊用贵金属被覆银线的制造方法，其中所述钯层的外周面及芯材面分别具备金层。

10.如权利要求6所述的球焊用贵金属被覆银线的制造方法，其中所述芯材包含铜，且铜相对于线材整体的含量为0.005质量％以上2.0质量％以下。

11.一种半导体装置，其是具备至少1个半导体芯片、引线框架或基板，且以球焊用贵金属被覆银线将半导体芯片的电极与引线框架的电极、或半导体芯片的电极与基板的电极、或多个半导体芯片的电极之间连接的半导体装置，其特征为：球焊用贵金属被覆银线在由纯银或银合金所构成的芯材上具备贵金属被覆层，线材包含至少1种硫族元素，贵金属被覆层的至少1层为钯层，钯相对于线材整体的含量总计为0.01质量％以上5.0质量％以下，且硫族元素相对于线材整体的含量总计为0.1质量ppm以上100质量ppm以下。

12.如权利要求11所述的半导体装置，其具有所述贵金属被覆层进一步至少1层为金层、且金相对于线材整体的含量为0.01质量％以上且小于1.0质量％的球焊用的贵金属被覆银线。

13.如权利要求11所述的半导体装置，其具有所述钯层的外周面具备金层的球焊用的贵金属被覆银线。

14.如权利要求11所述的半导体装置，其具有所述钯层的外周面及芯材面分别具备金层的球焊用的贵金属被覆银线。

15.如权利要求11所述的半导体装置，其中所述芯材包含铜，且铜相对于线材整体的含量为0.005质量％以上2.0质量％以下。