[发明专利]用于从氯硅烷中去除杂质的方法和设备有效
| 申请号： | 201880069282.7 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN111263732B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | K·席林格;N·米伦科维奇 | 申请（专利权）人： | 奈克斯沃夫有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107;C30B25/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙) 11447 | 代理人： | 桑传标 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于从氯硅烷中去除杂质特别是掺杂物的方法，所述方法包括以下步骤：(a)加热沉积面(3)；(b)使至少一种气态的氯硅烷混合物与加热的沉积面(3)接触，所述气态的氯硅烷混合物含有至少一种氯硅烷和至少一种杂质、特别是至少一种掺杂物；(c)通过在所述沉积面(3)上形成多晶硅沉积物来至少部分地分离杂质、特别是掺杂物，所述多晶硅沉积物中与所述杂质、特别是掺杂物一起富集；(d)导出净化的气态的氯硅烷混合物；(e)使蚀刻气体与加热的沉积面(3)接触，以便使多晶硅沉积物和杂质、特别是掺杂物回到气相，从而形成气态的蚀刻气体混合物；以及(f)导出所述气态的蚀刻气体混合物。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 硅烷 去除 杂质 方法 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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