[发明专利]用于从氯硅烷中去除杂质的方法和设备

权利要求书

1.用于从氯硅烷中去除杂质的方法，所述方法包括以下步骤：

(a)加热沉积面(3)，将所述沉积面(3)加热到600℃至1000℃；

(b)使至少一种气态的氯硅烷混合物与加热的沉积面(3)接触，所述气态的氯硅烷混合物含有至少一种氯硅烷和至少一种杂质；

(c)通过在所述沉积面(3)上形成多晶硅沉积物来至少部分地分离杂质；所述多晶硅沉积物与所述杂质一起富集；

(d)导出净化的气态的氯硅烷混合物；

(e)使蚀刻气体与加热的沉积面(3)接触，以便使所述多晶硅沉积物和所述杂质回到气相，从而形成气态的蚀刻气体混合物；以及

(f)导出所述气态的蚀刻气体混合物。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述杂质为掺杂物。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(b)中，在存在工艺气体的情况下，实现使所述气态的氯硅烷混合物与所述沉积面(3)接触。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，工艺气体是氢气。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(d)中导出的、净化的气态的氯硅烷混合物具有小于1000ppb的杂质的残留浓度。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在步骤(d)中导出的、净化的气态的氯硅烷混合物具有小于100ppb的杂质的残留浓度。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在步骤(d)中导出的、净化的气态的氯硅烷混合物具有小于15ppb的杂质的残留浓度。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在步骤(d)中，杂质的浓度为掺杂物的残留浓度。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氯硅烷是四氯化硅和/或三氯硅烷和/或二氯硅烷。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在0.8至1.2bar的压力下进行在所述沉积面(3)上形成多晶硅沉积物的步骤。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在大气压力下，进行在所述沉积面(3)上形成多晶硅沉积物的步骤。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(a)中，将沉积面(3)加热到700℃至900℃的温度。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，在步骤(a)中，将沉积面(3)加热到750℃至850℃的温度。

14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述蚀刻气体是氯化氢。

15.根据权利要求1～11和14中任意一项所述的方法，其特征在于，该方法采用用于从氯硅烷中去除杂质的设备(1)，设备(1)包括：

沉积腔(2)，所述沉积腔(2)具有至少一个用于沉积多晶硅的沉积面(3)，所述沉积腔(2)具有加热装置(17)，所述加热装置(17)设置为将所述沉积面(3)加热到600℃至1000℃；

至少一个气体入口(6、7、8)和至少一个气体出口(13、14)；

至少一个流体供应管道(9、10、11)，所述流体供应管道(9、10、11)与所述沉积腔(2)的所述气体入口(6、7、8)连接；以及

至少一个流体导出管道(15、16)，所述流体导出管道(15、16)与所述沉积腔的所述气体出口(13、14)连接。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述流体供应管道为气体供应管道；所述流体导出管道为气体导出管道。