[发明专利]外延片的制造装置及制造方法有效
| 申请号： | 201880068636.6 | 申请日： | 2018-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN111213223B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 南出由生;和田直之;竹村泰隆 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/44;C23C16/52 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张泽洲;陈浩然 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明将来自外延片的制造装置(1)的反应室(111)的排气量在反应室处进行外延成膜处理的情况下控制成第1排气量，在打开门阀(114)而在反应室和晶圆移载室(12)之间将晶圆(WF)投入或取出的情况下控制成比第1排气量小的第2排气量，在反应室处结束外延成膜处理后至结束反应室的气体的清洗处理为止，控制成比第1排气量大的第3排气量。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 制造 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
