[发明专利]外延片的制造装置及制造方法

权利要求书

1.一种外延片的制造装置，其特征在于，

具备反应室、晶圆移载室、门阀、晶圆移载机构、第1控制机构、第1排气机构、第2排气机构、第2控制机构，

前述反应室使晶圆成长外延膜，

前述晶圆移载室与前述反应室连通，

前述门阀设置于前述反应室和前述晶圆移载室的连通部，将反应室和晶圆移载室的气体的流通开闭，

前述晶圆移载机构设置于前述晶圆移载室，将处理前的晶圆从前述晶圆移载室向前述反应室投入，将处理后的晶圆从前述反应室向前述晶圆移载室取出，

前述第1控制机构将前述晶圆从前述晶圆移载室向前述反应室投入而在前述反应室进行外延成膜处理后，执行将前述晶圆从前述反应室向前述晶圆移载室取出的控制，

前述第1排气机构排出前述晶圆移载室的气体，

前述第2排气机构排出前述反应室的气体，

前述第2控制机构控制基于前述第1排气机构及前述第2排气机构的排气量，

前述第2控制机构将基于前述第1排气机构的排气量控制在既定的范围，并且输入基于前述第1控制机构的外延膜的成长工序的控制信号，基于该控制信号，将基于前述第2排气机构的排气量在前述反应室处进行外延成膜处理的情况下控制成第1排气量，在打开前述门阀而在前述反应室和前述晶圆移载室之间将前述晶圆投入或取出的情况下控制成比前述第1排气量小的第2排气量，在前述反应室处结束外延成膜处理后至前述反应室的气体的清洗处理结束为止，控制成比前述第1排气量大的第3排气量。

2.如权利要求1所述的外延片的制造装置，其特征在于，

前述第2控制机构在从前述反应室处结束外延成膜处理而前述反应室的气体的清洗处理结束的时刻至打开前述门阀来将前述晶圆向前述晶圆移载室取出的时刻之间，将基于前述第2排气机构的排气量控制成前述第1排气量或第2排气量。

3.如权利要求1或2所述的外延片的制造装置，其特征在于，

以基于由前述第1排气机构控制的排气量的排气压为基准，

基于前述第1排气量的排气压为-0.4~-0.6kPa，

基于前述第2排气量的排气压为0~-0.3kPa，

基于前述第3排气量的排气压为-0.7kPa以下。

4.一种外延片的制造方法，前述外延片的制造方法使用外延片的制造装置，前述外延片的制造装置具备反应室、晶圆移载室、门阀、晶圆移载机构，前述反应室使晶圆成长外延膜，前述晶圆移载室与前述反应室连通，前述门阀设置于前述反应室和前述晶圆移载室的连通部，将反应室和晶圆移载室的气体的流通开闭，前述晶圆移载机构设置于前述晶圆移载室，将处理前的晶圆从前述晶圆移载室向前述反应室投入，将处理后的晶圆从前述反应室向前述晶圆移载室取出，其特征在于，

将前述晶圆移载室的压力控制在既定的范围，将前述反应室的压力在前述反应室处进行外延成膜处理的情况下控制成第1压力，在打开前述门阀而在前述反应室和前述晶圆移载室之间将前述晶圆投入或取出的情况下控制成比前述第1压力高的第2压力，在前述反应室处结束外延成膜处理后至前述反应室的气体的清洗处理结束为止，控制成比前述第1压力低的第3压力。

5.如权利要求4所述的外延片的制造装置，其特征在于，

在从前述反应室处结束外延成膜处理而前述反应室的气体的清洗处理结束的时刻至打开前述门阀来将前述晶圆向前述晶圆移载室取出的时刻之间，将前述反应室的压力控制成前述第1压力或前述第2压力。