[发明专利]外延片的制造装置及制造方法

说明书

本发明将来自外延片的制造装置(1)的反应室(111)的排气量在反应室处进行外延成膜处理的情况下控制成第1排气量，在打开门阀(114)而在反应室和晶圆移载室(12)之间将晶圆(WF)投入或取出的情况下控制成比第1排气量小的第2排气量，在反应室处结束外延成膜处理后至结束反应室的气体的清洗处理为止，控制成比第1排气量大的第3排气量。

技术领域

本发明涉及外延片的制造装置及制造方法。

背景技术

已知使用外延成长装置在背面具备多晶硅膜的硅晶圆的表面侧形成硅外延膜的外延硅片的制造方法，前述外延成长装置具备使外延膜成长的反应室(处理腔)、与反应室连通而将晶圆向反应室内搬运的晶圆移载室(转移腔)、设置于反应室和移载室的连通部而将反应室和移载室的气体的流通开放・封闭的间隔可动机构(门阀) (专利文献1)。

在该外延片的制造方法中，以使设为氮气氛围的移载室内的压力比设为氢气氛围的反应室内的压力高0.067kPa~0.267kPa(0.5Torr~2Torr)的状态打开门阀，将移载室内的硅晶圆向反应室内搬运，并且利用移载室内的压力和反应室内的压力之差将移载室内的氮气向反应室内供给。然后，将硅晶圆载置于设置于反应室内的基座，关闭门阀来停止向反应室内的氮气的供给后，在硅晶圆表面形成硅外延膜。

专利文献1 : 日本特开2013-232455号公报。

然而，若将反应室和移载室的差压像上述现有技术那样相同地设定，则被设定的差压较大时，打开门阀时颗粒容易卷起，另一方面，为使被设定的差压变小而排气压力下降时颗粒的排气不足。在哪种情况下均有LPD(Light Point Defect，光散射辉点缺陷)品质下降的问题。

发明内容

本发明所要解决的问题是，提供能够提高LPD品质的外延片的制造装置及制造方法。

本发明是一种外延片的制造装置，其特征在于，具备反应室、晶圆移载室、门阀、晶圆移载机构、第1控制机构、第1排气机构、第2排气机构、第2控制机构，

前述反应室使晶圆成长外延膜，

前述晶圆移载室与前述反应室连通，

前述门阀设置于前述反应室和前述晶圆移载室的连通部，将反应室和晶圆移载室的气体的流通开闭，

前述晶圆移载机构设置于前述晶圆移载室，将处理前的晶圆从前述晶圆移载室向前述反应室投入，将处理后的晶圆从前述反应室向前述晶圆移载室取出，

前述第1控制机构将前述晶圆从前述晶圆移载室向前述反应室投入而在前述反应室进行外延成膜处理后，执行将前述晶圆从前述反应室向前述晶圆移载室取出的控制，

前述第1排气机构排出前述晶圆移载室的气体，

前述第2排气机构排出前述反应室的气体，

前述第2控制机构控制基于前述第1排气机构及前述第2排气机构的排气量，

前述第2控制机构将基于前述第1排气机构的排气量控制在既定的范围，并且输入基于前述第1控制机构的外延膜的成长工序的控制信号，基于该控制信号，将基于前述第2排气机构的排气量在前述反应室处进行外延成膜处理的情况下控制成第1排气量，在打开前述门阀而在前述反应室和前述晶圆移载室之间将前述晶圆投入或取出的情况下控制成比前述第1排气量小的第2排气量，在前述反应室处结束外延成膜处理后至前述反应室的气体的清洗处理结束为止，控制成比前述第1排气量大的第3排气量。

在本发明中，更优选为，前述第2控制机构在从前述反应室处结束外延成膜处理而前述反应室的气体的清洗处理结束的时刻至打开前述门阀来将前述晶圆向前述晶圆移载室取出的时刻之间，将基于前述第2排气机构的排气量控制成前述第1排气量或第2排气量。