[发明专利]半导体继电器控制装置有效
| 申请号： | 201880066012.0 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN111201152B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 森本充晃;大石英一郎 | 申请（专利权）人： | 矢崎总业株式会社 |
| 主分类号： | B60L3/00 | 分类号： | B60L3/00;H02J1/00;H02J7/00;H02H3/08;H02H7/20;H02H9/00;B60W10/26;B60W20/50 |
| 代理公司： | 北京奉思知识产权代理有限公司 11464 | 代理人： | 邹轶鲛;石红艳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | FET(11)使上游侧电源电路(101a)为通电状态，使上游侧电源电路(101a)为切断状态。FET(12)使下游侧电源电路(101b)为通电状态，使下游侧电源电路(101b)为切断状态。FET(13)与电容器(C)并联连接，通过导通而使电容器(C)的阳极与阴极为通电状态，通过截止而使阳极与阴极为切断状态。控制部(50)通过使FET(11)和FET(12)导通，且使FET(13)截止，从而使电源电路(101)为通电状态。控制部(50)在电源电路(101)的通电状态中被输入了预先确定的放电请求的情况下，使FET(11)截止，且使FET(12)和FET(13)导通。根据该结构，半导体继电器控制装置(1)能够在异常时恰当地处置电源电路(101)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 继电器 控制 装置 | ||
【主权项】：
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