[发明专利]发光二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201880065361.0 | 申请日： | 2018-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN111194484A | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 姜镇模;姜智薰;赵晟佑;康志宁 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/36;H01L33/62 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 纪雯 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种制造发光二极管(LED)的方法。所述方法包括：在衬底上形成n型半导体层；在n型半导体层的第一区域中形成n型电极；在n型半导体层的第二区域中形成有源层，第二区域是除第一区域以外的区域；在有源层上形成p型半导体层；以及通过蚀刻有源层和p型半导体层的区域来形成电阻层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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