[发明专利]堆叠晶体管架构中的垂直二极管

摘要

一种集成电路结构包括：在长度方向上水平延伸且包括底部部分和底部部分上方的顶部部分的第一半导体鳍状物；与第一半导体鳍状物的底部部分相关联的底部晶体管；位于底部晶体管上方且与第一半导体鳍状物的顶部部分相关联的顶部晶体管；以及第一垂直二极管。所述第一垂直二极管包括：至少与第一半导体鳍状物的底部部分相关联的底部区域，所述底部区域包括n型掺杂剂和p型掺杂剂中的一种；至少与第一半导体鳍状物的顶部部分相关联的顶部区域，所述顶部区域包括n型掺杂剂和p型掺杂剂中的另一种；电连接到底部区域的底部端子；以及电连接到第一半导体鳍状物的顶部部分处的顶部区域的顶部端子。