[发明专利]基板处理方法和装置有效
| 申请号： | 201880060924.7 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN111133555B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 金仁俊;李佶洸;朴在阳;林斗镐 | 申请（专利权）人： | 艾斯宜株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人： | 钟锦舜;姜香丹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种用于去除形成在硅基板上的氧化硅或氮化硅的基板处理方法，包括以下步骤：通过将与氧化硅或氮化硅反应的反应气体供应到以布置在腔室内的状态被加热的硅基板，将氧化硅或氮化硅中的至少一部分转化为六氟硅酸铵((NH |
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| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
