[发明专利]通过硅化法的含金属薄膜的体积膨胀有效
| 申请号： | 201880058616.0 | 申请日： | 2018-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN111066140B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | S·S·罗伊;S·冈迪科塔;A·B·玛里克;A·B·穆里克 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/02;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 汪骏飞;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了产生自对准的结构的方法。方法包含在基板特征中形成含金属薄膜，且硅化所述含金属薄膜以形成包含金属硅化物的自对准的结构。在某些实施例中，控制形成所述自对准的结构的速率。在某些实施例中，控制用于形成所述自对准的结构的所述含金属薄膜的体积膨胀的量。也描述了形成自对准的通孔的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 硅化法 金属 薄膜 体积 膨胀 | ||
【主权项】：
暂无信息
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