[发明专利]通过硅化法的含金属薄膜的体积膨胀

说明书

描述了产生自对准的结构的方法。方法包含在基板特征中形成含金属薄膜，且硅化所述含金属薄膜以形成包含金属硅化物的自对准的结构。在某些实施例中，控制形成所述自对准的结构的速率。在某些实施例中，控制用于形成所述自对准的结构的所述含金属薄膜的体积膨胀的量。也描述了形成自对准的通孔的方法。

技术领域

本公开大致关于沉积且处理薄膜的方法。具体而言，本公开关于用于产生自对准的结构的处理。

背景技术

自对准的金属氧化物柱可通过间隙填充的金属薄膜的氧化而形成。金属沉积在孔洞或沟道的结构上，且接着氧化以形成金属氧化物。在氧化期间的体积膨胀将柱推出孔洞或沟道。柱仅由金属从底部向上选择性地成长。

然而，使用此处理具有某些挑战，归因于金属的体积膨胀以形成金属氧化物条列的速率及量。首先，应力的快速改变某些时候导致内在结构的降级。这可导致当CD小时高的条列的弯曲。其次，体积的快速改变某些时候导致金属氧化物柱和基板之间的黏着问题。第三，残留的、未氧化的、金属常常残留在沟道的底部处。

本领域中存在替代方法以建立自对准的结构的需求。更具体而言，本领域中存在替代方法，以建立给予较慢的形成速率及膨胀的量的自对准的条列及结构的需求。

发明内容

本公开的一个或更多个实施例导向用于产生自对准的结构的方法。方法包含提供具有基板表面的基板，基板表面具有至少一个特征形成于其中。至少一个特征从基板表面延伸一距离至基板中，且具有侧壁及底部。在至少一个特征中且不在至少一个特征外侧形成含金属薄膜。将含金属薄膜暴露至硅前驱物，以形成从至少一个特征膨胀的金属硅化物的自对准的结构。

本公开的附加实施例导向用于产生自对准的结构的方法。方法包含提供具有基板表面的基板，基板表面具有至少一个特征形成于其中。至少一个特征从基板表面延伸一距离至基板中，且具有侧壁及底部。在基板表面上和至少一个特征中形成钨薄膜。从至少一个特征外侧的基板表面移除钨薄膜。将钨薄膜暴露至硅前驱物及氢，来以预定速率形成从至少一个特征膨胀的钨硅化物的自对准的结构。自对准的结构具有体积，该体积为在特征之中的该钨薄膜的约两倍。

本公开的进一步实施例导向用于产生自对准的通孔的方法。方法包含提供具有基板表面的基板，基板表面具有至少一个特征形成于其中。至少一个特征从基板表面延伸一距离至基板中，且具有侧壁及底部。在基板表面上及至少一个特征中形成钨薄膜。从至少一个特征外侧的基板表面移除钨薄膜。将钨薄膜暴露至硅前驱物，来以预定速率形成从至少一个特征膨胀的钨硅化物的自对准的结构。在自对准的结构四周沉积材料。将自对准的结构暴露至氢等离子体及金属氟化物蚀刻剂，以移除自对准的结构且形成自对准的通孔。

附图说明

为了使本公开的上述记载的特征可详细地理解，此处简要概述的本公开的更具体说明可通过参考实施例来获得，某些实施例图示于随附附图中。然而，应理解随附附图仅图示本公开的通常实施例，且因此不应考虑为其范围的限制，因为本公开认可其他均等效果的实施例。

图1根据本公开的一个或更多个实施例，显示基板特征的横截面视图；并且

图2A至2C根据本公开的一个或更多个实施例，显示自对准的结构形成处理的横截面示意图。

具体实施方式

在说明本公开的数个示例实施例之前，应理解本公开并非限于以下说明中提及的构造或处理步骤的细节。本公开能够包含其他实施例，且可以各种方式实施或执行。