[发明专利]用于高RES FMM的FMM工艺在审
| 申请号： | 201880056408.7 | 申请日： | 2018-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN111095591A | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 迪特尔·哈斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文所公开的方面涉及在有机发光二极管(OLED)的制造中使用的具有组合的公共金属掩模(CMM)和精细金属掩模(FMM)的设备及其制造方法。一方面，提供了一种掩模组件。所述掩模包括：公共金属掩模，所述公共金属掩模具有从中穿过的一个或多个窗口；和至少一个精细金属掩模，所述至少一个精细金属掩模设置在至少一个窗口内。另一方面，公开了一种畸变补偿母版。所述掩模包括：多个窗口，所述多个窗口穿过所述掩模形成，所述窗口的位置被定位来补偿任何畸变，包括由重力引起的位置畸变。作为一个示例，所述窗口可以在所述掩模的中心处或附近定位在较高处，而在所述掩模的边缘附近逐渐地降低。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 res fmm 工艺 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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