[发明专利]低温隔离填充物的保护在审
| 申请号： | 201880055783.X | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN111052389A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | J.W.斯特兰;D.萨达纳;M.贝尔扬斯基;郭德超;R.康蒂 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王蕊瑞 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体结构包括在半导体衬底的上表面上的多个半导体鳍。半导体鳍通过相应的沟槽彼此间隔开，以限定鳍间距。在每个沟槽中包含多层电隔离区域。多层电隔离区域包括氧化物层和保护层。氧化物层在半导体衬底的上表面上包括第一材料。保护层在氧化物层的上表面上包括第二材料。第二材料不同于第一材料。第一材料具有第一抗蚀刻性，第二材料具有大于第一抗蚀刻性的第二抗蚀刻性。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 隔离 填充物 保护 | ||
【主权项】：
暂无信息
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