[发明专利]低温隔离填充物的保护

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

在半导体衬底的上表面上的多个半导体鳍，半导体鳍通过相应的沟槽彼此间隔开以限定鳍间距；以及

包含在每个沟槽中的多层电隔离区域，多层电隔离区域包括：

在半导体衬底的上表面上的包括第一材料的氧化物层；

在氧化物层的上表面上的包括第二材料的保护层，第二材料不同于第一材料；以及，

形成于半导体鳍上的鳍保护衬垫，鳍保护衬垫包括不同于氧化物材料和第二材料的第三材料。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中第二材料是退火的氧化物材料。

3.如权利要求2所述的结构，其中第一材料具有第一抗蚀刻性，以及第二材料具有大于第一抗蚀刻性的第二抗蚀刻性。

4.如权利要求3所述的结构，其中第一材料包括标称化学计量的二氧化硅(SiO₂)，以及其中第二材料是包含氮的氧化物材料。

5.如权利要求4所述的结构，其中第二材料是改性含氧化硅的物质，改性含氧化硅的物质选自包括氮(N)、氦(He)、氢(H)和氩(Ar)和氧的组。

6.如权利要求3所述的结构，其中第一材料包括标称化学计量二氧化硅(SiO₂)，以及第二材料是改性的SiO₂。

7.一种制造半导体结构的方法，所述方法包括：

在半导体衬底的上表面上形成多个半导体鳍，半导体鳍通过相应的沟槽彼此间隔开以限定鳍间距；

在沟槽中沉积间隙填充氧化物材料，氧化物材料具有第一抗蚀刻性；将氧化物材料的一部分转换成限定保护层的不同的第二材料，第二材料具有大于第一抗蚀刻性的第二抗蚀刻性；以及，

在半导体鳍上形成鳍保护衬垫，鳍保护衬垫包括不同于氧化物材料和第二材料的第三材料。

8.如权利要求7所述的方法，其中转换包括

将离子注入到氧化物材料中以将氧化物材料的一部分转换为不同的第二种材料。

9.如权利要求7或权利要求8所述的方法，还包括使第二材料退火以进一步增加第二抗蚀刻性。

10.如权利要求9所述的方法，其中退火包括将第二材料暴露于低于900摄氏度的退火温度。

11.如权利要求10所述的方法，其中氧化物材料包括标称化学计量的二氧化硅(SiO₂)。

12.如权利要求11所述的方法，其中第二材料包括含有氮的氧化物材料。

13.如权利要求10所述的方法，其中氧化物材料包括标称化学计量的二氧化硅(SiO₂)，以及其中第二材料包括富含硅的氧化物材料，富含硅的氧化物材料包含比第一材料更大的硅百分比。

14.如权利要求7所述的方法，其中转换氧化物材料的一部分包括用含有化学元素的高密度等离子体(HDP)处理氧化物材料的上表面，其中氧化物材料包括标称化学计量二氧化硅(SiO₂)，以及其中化学元素包括选自包括氮(N)、氦(He)、氢(H)和氩(Ar)和氧(O)的组中的元素。

15.如权利要求14所述的方法，其中转换氧化物材料的一部分包括：执行表面处理工艺，表面处理工艺将包含氦(He)和氧(O₂)的组合的高密度等离子体(HDP)施加至氧化物材料的上表面。