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[发明专利]用离子注入法制造的具有电荷感测的马约拉纳费米子量子计算器件-CN202080077908.6有效
发明人： S.福尔摩斯;D.萨达纳;S.哈特;李宁;S.比德尔;P.古曼 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10N69/00 文献下载
摘要：通过在超导体层(410)上形成限定器件区和器件区内的感测区的第一抗蚀剂图案来制造量子计算器件。感测区内的超导体层被去除，从而暴露器件区外的底下半导体层(340)的区。对半导体层的暴露区进行注入，形成围绕器件区的隔离区(240，2150)。在注入之后使用蚀刻工艺，感测区和超导体层的器件区的邻近隔离区的部分被暴露。通过在感测区内沉积第一金属层形成隧道结栅极(204)。包括反射测量区内的第二金属的反射测量导线(202)被形成。纳米柱触点(206，212)使用器件区的感测区外的部分内的第二金属来形成。
离子注入法制具有电荷马约拉纳费米量子计算器件

[发明专利]用于多波长激活的集成在神经探针中的多光源-CN201980009683.8有效
发明人： H.德利吉亚尼;李克涛;李宁;D.萨达纳 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2019-01-15 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： A61N5/06 文献下载
摘要：探针包括被配置成穿透生物组织的探针本体。高效光源定位在探针本体内。每个高效光源具有足够强的光输出以触发邻近组织中的光敏反应，并且具有足够低的功率输出，使得多个光源的组合热输出不会引起所述邻近组织中的破坏性温度升高。
用于波长激活集成神经探针中的光源

[发明专利]具有逐步复位的相变存储器-CN202180014999.3在审
发明人：李宁;金完起;D.萨达纳 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种被配置成用于执行逐步复位操作的相变存储器(PCM)结构包括第一电极和第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的相变材料层。PCM结构还包括热绝缘层，其至少设置在第一和第二电极以及相变材料层的侧壁上。热绝缘层被配置为提供相变材料层的非均匀加热。可选地，热绝缘层可以形成为气隙。所述PCM结构可配置为具有以垂直或横向布置对准的所述第一电极和所述第二电极。
具有逐步复位相变存储器

[发明专利]补偿神经元形态应用的PCM漂移-CN202180007793.8在审
发明人：李宁;W.金;S.比德尔;D.萨达纳 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-02-17 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G11C11/00 文献下载
摘要：一种装置，包括模拟相变存储器阵列，该模拟相变存储器阵列包括通过第一线和第二线可寻址和可访问的单元的阵列。该装置包含耦合到第一线中的一个或多个的(一个或多个)设备。该(一个或多个)设备能够耦合到一个或多个第一线或从一个或多个第一线解耦合，以补偿一个或多个第一线中的单元中的至少一个的电阻的相变存储器电阻漂移。该装置还可以包括控制电路，该控制电路被配置为使用第一线和第二线通过该(一个或多个)设备向相变存储器阵列中的多个单独的相变存储器电阻器每个时段顺序地发送一次相同的设置脉冲。
补偿神经元形态应用 pcm 漂移

[发明专利]用离子注入方法制造的马约拉纳费米子量子计算器件-CN202080078195.5在审
发明人： S.福尔摩斯;D.萨达纳;S.哈特;S.比德尔;李宁;P.古曼 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L39/02 文献下载
摘要：通过在超导体层(410)上形成限定器件区域和器件区域内的感测区域的第一抗蚀剂图案来制造量子计算器件。去除感测区域内的超导体层，从而暴露器件区域外部的下面的半导体层(340)的区域。对半导体层的暴露的区域进行注入，形成围绕器件区域的隔离区域(240)。在注入之后使用蚀刻工艺，暴露感测区域和与隔离区域相邻的超导体层的器件区域的部分。通过在感测区域内沉积第一金属层，形成隧道结栅极(204)。通过将半导体层与第二金属层耦合来形成感测区域栅极(202)。还形成化学势栅极(208，210)。使用所述第二金属在感测区域外部的器件区域的部分内形成纳米棒触点(206，212)。
离子注入方法制造马约拉纳费米量子计算器件

[发明专利]用离子注入法制造的双侧马约拉纳费米子量子计算器件-CN202080077978.1在审
发明人： S.福尔摩斯;S.比德尔;S.哈特;D.萨达纳;李宁;P.古曼 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/18 文献下载
摘要：通过在超导体层(410)上形成限定器件区和器件区内的感测区的第一抗蚀剂图案来制造量子计算器件。感测区内的超导体层被去除，从而暴露器件区外的底下半导体层(340)的第一表面的区。对半导体层的暴露区进行注入，形成围绕器件区的隔离区。感测区和超导体层的器件的部分被暴露。通过将半导体层的第一表面与第一金属层耦合来形成感测区触点(202)。使用所述器件区的感测区外的部分内的第一金属来形成纳米柱触点(206，212)。通过在感测区内的半导体层的第二表面上沉积第二金属层来形成隧道结栅极(204)。
离子注入法制双侧马约拉纳费米量子计算器件

[发明专利]用于对生物组织成像的脂质可植入生物传感器-CN202080033391.0在审
发明人： S.福尔摩斯;D.萨达纳;S.比德尔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： A61B5/00 文献下载
摘要：一种包括将可植入生物传感器植入受试者体内的方法，其中所述可植入生物传感器具有光源阵列和光检测器阵列，激活所述光源阵列以在所述受试者中的目标组织部位处引导光信号，用所述光检测器捕获从所述目标部位反射的所述光信号，计算每个所述光信号的往返传播时间，并且将每个所述光信号的所述往返传播时间与先前计算的相应往返传播时间进行比较以确定所述目标组织部位中的变化的发生。
用于生物组织成像脂质可植入传感器

[发明专利]低温隔离填充物的保护-CN201880055783.X在审
发明人： J.W.斯特兰;D.萨达纳;M.贝尔扬斯基;郭德超;R.康蒂 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：半导体结构包括在半导体衬底的上表面上的多个半导体鳍。半导体鳍通过相应的沟槽彼此间隔开，以限定鳍间距。在每个沟槽中包含多层电隔离区域。多层电隔离区域包括氧化物层和保护层。氧化物层在半导体衬底的上表面上包括第一材料。保护层在氧化物层的上表面上包括第二材料。第二材料不同于第一材料。第一材料具有第一抗蚀刻性，第二材料具有大于第一抗蚀刻性的第二抗蚀刻性。
低温隔离填充物保护