[发明专利]包括以轴向配置的三维半导体结构的光电子设备有效
申请号: | 201880055485.0 | 申请日: | 2018-06-28 |
公开(公告)号: | CN111033747B | 公开(公告)日: | 2023-10-13 |
发明(设计)人: | 埃里克·普尔基耶 | 申请(专利权)人: | 艾利迪公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/08;H01L25/075;H01L33/18;H01L33/24;H01L33/20;H01L33/00;H01L31/0352 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 王小衡;胡彬 |
地址: | 法国格*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种光电子设备(10),其包括附接到第二电子电路(14)的第一光电子电路(12)。第二电子电路(14)包括导电垫(62)。针对每个像素,第一光电子电路包括:至少第一和第二三维半导体元件(20,22),其在第一导电层上延伸并且具有相同的高度(H);第一有源区,其位于第一半导体元件上并适合于发射或接收第一电磁辐射;第二有源区,其位于第二半导体元件上并适合于发射或接收第二电磁辐射;以及第二、第三和第四导电层(42,44,48),其被电连接到导电垫(62),第二、第三和第四导电层被分别连接到第一有源区、第二有源区和第一导电层。 | ||
搜索关键词: | 包括 轴向 配置 三维 半导体 结构 光电子 设备 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾利迪公司,未经艾利迪公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201880055485.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:蛋白质纯化方法
- 下一篇:用于电化学分离装置的子块密封
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的