[发明专利]金属薄膜的原子层沉积方法有效
| 申请号： | 201880047781.6 | 申请日： | 2018-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN110945157B | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 水谷文一;东慎太郎;竹泽直幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社高纯度化学研究所 |
| 主分类号： | C23C16/18 | 分类号： | C23C16/18;C23C16/455;H01L21/285 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 童春媛;梅黎 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供通过以有机金属络合物为一种原料的原子层沉积(ALD)来沉积金属薄膜的方法，所述方法不使用有可能失活的等离子体或臭氧等自由基物种。金属薄膜的原子层沉积(ALD)法，具有：向设置有基板的反应室内供给具有芳族阴离子配体和/或烷基配体的有机金属络合物的工序，和向该反应室内供给含有亲电子性的气体和亲核性的气体的混合气体的工序；且等离子体和自由基状态的气体以及含有氧原子的气体实质上均被不使用。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 薄膜 原子 沉积 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
