[发明专利]用于制造电容元件及其他装置的采用表面面积放大的基底有效
申请号: | 201880045989.4 | 申请日: | 2018-07-10 |
公开(公告)号: | CN110892497B | 公开(公告)日: | 2022-01-07 |
发明(设计)人: | 弗雷德里克·瓦龙;朱利安·埃尔萨巴希;久伊·帕拉特 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01G11/26 | 分类号: | H01G11/26;G01N27/40;H01L21/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 黄霖;郭孟洁 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 由基底(1)提供放大的表面面积,该基底(1)包括:基层(2),该基层具有限定多个第一沟槽(3)和介于中间的第一平台(4)的第一主表面(2A);以及覆盖层(12),该覆盖层设置在基层(2)的第一主表面(2A)上并以基本保形的方式覆盖第一沟槽(3)和第一平台(4),其中,覆盖层的远离基层的第一主表面(2A)的表面(12A)包括多个第二沟槽(13)和介于中间的第二平台(14),第二沟槽和第二平台以比第一沟槽和第一平台的比例小的比例被限定。基底可以用于制造电容元件,在电容元件中设置有薄膜层并且薄膜层以保形的方式覆盖覆盖层的第二沟槽和第二平台,以创建具有高的电容密度的金属‑绝缘体‑金属结构。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 电容 元件 其他 装置 采用 表面 面积 放大 基底 | ||
【主权项】:
暂无信息
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