[发明专利]用于制造电容元件及其他装置的采用表面面积放大的基底

权利要求书

1.一种基底(1)，所述基底(1)包括具有第一主表面(2A)的基层(2)，所述第一主表面(2A)限定多个第一沟槽(3)和介于中间的第一平台(4)，其特征在于，所述基底包括厚度大于5μm的覆盖层(12)，所述覆盖层(12)设置在所述基层(2)的所述第一主表面(2A)上并且以保形的方式覆盖所述第一沟槽(3)和所述第一平台(4)，其中：

所述覆盖层的远离所述基层的所述第一主表面(2A)的表面(12A)包括多个第二沟槽(13)和介于中间的第二平台(14)，所述第二沟槽(13)和所述第二平台(14)以比所述第一沟槽和所述第一平台的比例小的比例被限定，

所述第一平台(4)的宽度大于1μm，并且

比率R＝D/H大于0.5，其中，D是所述覆盖层(12)的覆盖两个相邻的第一平台(4)的相对表面之间的在平行于所述第一平台(4)的宽度的方向上的距离，并且H是所述第一平台(4)的高度。

2.根据权利要求1所述的基底(1)，其中，所述比率R＝D/H不超过3.0。

3.根据权利要求1或2所述的基底(1)，其中，所述第一沟槽(3)具有相对于所述基层的所述第一主表面(2A)成≤90°的角度延伸的侧壁(3s)。

4.根据权利要求1或2所述的基底(1)，其中，所述第一沟槽(3)互连并且形成与其自身相交的连续轮廓。

5.根据权利要求1或2所述的基底，其中，所述覆盖层(12)是阳极氧化层，并且所述第二沟槽是所述阳极氧化层中的孔(13)。

6.根据权利要求1所述的基底，其中，所述覆盖层是导电的，并且在所述覆盖层的所述第二沟槽(13)和所述第二平台(14)上设置有第一薄膜层(26)且所述第一薄膜层(26)以保形的方式覆盖所述覆盖层的所述第二沟槽(13)和所述第二平台(14)，所述第一薄膜层(26)是电绝缘的或导电的。

7.根据权利要求6所述的基底，其中，所述第一薄膜层(26)是电绝缘的，并且在所述第一薄膜层(26)上设置有第二薄膜层(27)且所述第二薄膜层(27)以保形的方式覆盖所述第一薄膜层(26)，所述第二薄膜层(27)是导电的。

8.根据权利要求1所述的基底，其中，所述覆盖层是电绝缘的，并且在所述第二沟槽(13)和所述第二平台(14)上设置有三个薄膜层的堆叠件且所述堆叠件以保形的方式覆盖所述第二沟槽(13)和所述第二平台(14)，所述堆叠件的第一层是导电的，所述堆叠件的第二层是电绝缘的，并且所述堆叠件的第三层是导电的。

9.根据权利要求8所述的基底，其中，通过所述第二沟槽(13)的底部与所述堆叠件的所述第一层进行电接触。

10.一种电容元件，所述电容元件包括根据权利要求7或权利要求8所述的基底。

11.一种系统级封装模块(100)，所述系统级封装模块(100)包括与集成电路(115)单片集成在一起的根据权利要求1或2所述的基底或根据权利要求10所述的电容元件。

12.一种化学传感器元件，所述化学传感器元件包括根据权利要求7所述的基底，其中，所述第一薄膜层(26)是适于吸附所选分子的化学感测层。